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1. WO2021059492 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS, MÉCANISME D'ÉLÉVATION ET ABAISSEMENT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROGRAMME

Numéro de publication WO/2021/059492
Date de publication 01.04.2021
N° de la demande internationale PCT/JP2019/038175
Date du dépôt international 27.09.2019
CIB
H01L 21/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
CPC
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
Déposants
  • 株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 竹林 雄二 TAKEBAYASHI Yuji
  • 平野 誠 HIRANO Makoto
  • 柴田 剛吏 SHIBATA Koji
  • 岡嶋 優作 OKAJIMA Yusaku
Mandataires
  • ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, RAISING/LOWERING MECHANISM, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS, MÉCANISME D'ÉLÉVATION ET ABAISSEMENT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROGRAMME
(JA) 基板処理装置、昇降機構、半導体装置の製造方法及びプログラム
Abrégé
(EN)
In order to improve the uniformity of thickness of films formed on a plurality of substrates, this substrate treatment device is configured by comprising: a substrate-holding tool having a substrate support tool that holds the plurality of substrates, and a partition plate support part that supports a plurality of partition plates positioned between the plurality of substrates; a reaction tube that accommodates the substrate-holding tool; a first drive unit that takes the substrate-holding tool into and out of the reaction tube; a second drive unit that rotates the substrate-holding tool and drives the substrate support tool and/or the partition plate support part in the vertical direction; a heating unit that heats the substrates; a gas supply unit that supplies a gas inside the reaction tube; an exhaust unit that exhausts the gas from the reaction tube; and a control unit that, in a state where the substrate-holding tool is inserted inside the reaction tube, controls the gas supply unit and the second drive unit so as to supply the gas while driving the second unit and varying the relative vertical-direction positions of the plurality of substrates or the plurality of partition plates, and a plurality of holes in a nozzle, in accordance with preset conditions.
(FR)
Selon l'invention, afin d'améliorer l'uniformité d'épaisseur d'un film formé sur une pluralité de substrats, un dispositif de traitement de substrats est configuré de manière à être équipé : d'un organe de support de substrats qui possède un organe de maintien de substrats supportant la pluralité de substrats, et une partie maintien de plaques de séparation maintenant une pluralité de plaques de séparation disposée entre cette pluralité de substrats; d'un tube de réaction qui admet l'organe de support de substrats; d'une première partie entraînement qui retire l'organe de support de substrats du tube de réaction et l'y introduit; d'une seconde partie entraînement qui tout en mettant l'organe de support de substrats en rotation, entraîne l'organe de support de substrats ou la partie maintien de plaques de séparation dans une direction verticale; d'une partie chauffage qui chauffe les substrats; d'une partie alimentation en gaz qui alimente en gaz une partie interne du tube de réaction; d'une partie échappement de gaz qui fait s'échapper le gaz du tube de réaction; et d'une partie commande qui commande la partie alimentation en gaz et la seconde partie entraînement de sorte que la seconde partie entraînement est entraînée, la position relative dans la direction verticale de la pluralité de substrats ou de la pluralité de plaques de séparation vis-à-vis d'une pluralité d'orifices de buses, ne change pas selon des conditions prédéterminées, et simultanément l'alimentation en gaz est effectuée, dans un état tel que l'organe de support de substrats est inséré dans la partie interne du tube de réaction.
(JA)
複数の基板上に形成する膜の厚さの均一性を向上させるために、基板処理装置を、複数枚の基板を保持する基板支持具とこの複数の基板の間に配置された複数の仕切板を支持する仕切板支持部とを有する基板保持具と、基板保持具を収容する反応管と、基板保持具を反応管に出し入れする第1の駆動部と、基板保持具を回転させるとともに基板支持具又は仕切板支持部のいずれか一方を上下方向に駆動する第2の駆動部と、基板を加熱する加熱部と、反応管の内部でガスを供給するガス供給部と、ガスを反応管から排気する排気部と、基板保持具を反応管の内部に挿入した状態で、第2の駆動部を駆動して複数の基板又は複数の仕切板とノズルの複数の穴との上下方向の相対位置を予め設定した条件に応じて変化させながらガスを供給するようガス供給部と第2の駆動部とを制御する制御部とを備えて構成した。
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