Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2021059485 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/2021/059485
Date de publication 01.04.2021
N° de la demande internationale PCT/JP2019/038160
Date du dépôt international 27.09.2019
CIB
H01S 5/022 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022Supports; Boîtiers
H01L 27/144 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
H01L 27/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/64 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
64Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
H01S 5/024 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
024Dispositions pour le refroidissement
CPC
H01L 27/144
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
H01L 27/15
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
H01L 33/64
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
64Heat extraction or cooling elements
H01S 5/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
H01S 5/024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
024Arrangements for thermal management
Déposants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 根岸 将人 NEGISHI Masato
Mandataires
  • 大岩 増雄 OIWA Masuo
  • 村上 啓吾 MURAKAMI Keigo
  • 竹中 岑生 TAKENAKA Mineo
  • 吉澤 憲治 YOSHIZAWA Kenji
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 光半導体装置およびその製造方法
Abrégé
(EN)
The present invention comprises a first diffusion bonding layer (22a), to which one surface of an electrode layer (23) is diffusion bonded, on the front surface of a mount member (22), while comprising a second diffusion bonding layer (21a), to which the other surface of the electrode layer (23) is diffusion bonded, on the back surface of an optical semiconductor element (21) that is provided with a light emitting part (21b). With respect to the optical semiconductor element (21), the light emitting part (21b) is provided on a lateral surface of the optical semiconductor element (21) at a position close to the mount member (22) so as to make it unnecessary to use a solder and an Ag paste or the like, thereby preventing contamination of the light emitting part of the optical semiconductor element by the solder, while improving the heat dissipation characteristics by arranging the light emitting part more closer to the mount member.
(FR)
La présente invention comprend une première couche de liaison par diffusion (22a), sur laquelle une surface d'une couche d'électrode (23) est liée par diffusion, sur la surface avant d'un élément de montage (22), tout en comprenant une seconde couche de liaison par diffusion (21a), sur laquelle l'autre surface de la couche d'électrode (23) est liée par diffusion, sur la surface arrière d'un élément semi-conducteur optique (21) qui est pourvu d'une partie électroluminescente (21b). Par rapport à l'élément semi-conducteur optique (21), la partie électroluminescente (21b) est disposée sur une surface latérale de l'élément semi-conducteur optique (21) à une position proche de l'élément de montage (22) de manière à ce qu'il n'est pas nécessaire d'utiliser une brasure et une pâte d'Ag ou similaire, empêchant ainsi la contamination de la partie électroluminescente de l'élément semi-conducteur optique par la brasure, tout en améliorant les caractéristiques de dissipation de chaleur en agençant la partie électroluminescente plus près de l'élément de montage.
(JA)
マウント部材(22)の表面に、電極層(23)の一方の面が拡散接合する第一の拡散接合層(22a)と、発光部(21b)が設けられた光半導体素子(21)の裏面に、電極層(23)の他方の面が拡散接合する第二の拡散接合層(21a)とを備え、光半導体素子(21)は、発光部(21b)が光半導体素子(21)の側面で、マウント部材(22)寄りに設けられ、半田およびAgペースト等の使用を不要とし、光半導体素子の発光部において半田による汚染を防ぐだけでなく、発光部をさらにマウント部材側に近づけ、放熱特性の向上を図る。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international