Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2021059449 - ÉMETTEUR OPTIQUE

Numéro de publication WO/2021/059449
Date de publication 01.04.2021
N° de la demande internationale PCT/JP2019/037958
Date du dépôt international 26.09.2019
CIB
H01S 5/026 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
026Composants intégrés monolithiques, p.ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
CPC
H01S 5/026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
Déposants
  • 日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 進藤 隆彦 SHINDO Takahiko
  • 陳 明晨 CHIN Meishin
  • 金澤 慈 KANAZAWA Shigeru
Mandataires
  • 特許業務法人 谷・阿部特許事務所 TANI & ABE, P.C.
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) OPTICAL TRANSMITTER
(FR) ÉMETTEUR OPTIQUE
(JA) 光送信器
Abrégé
(EN)
The present disclosure provides a novel configuration which solves or mitigates the problem of optical waveform quality degradation and a lack of optical output, while taking advantage of the feature enabling simplification of a manufacturing process through the use of identical layer structure in an electro-absorption distributed feedback (EADFB) laser in which a semiconductor optical amplifier (SOA) is integrated. The EADFB laser in which the SOA is integrated may be utilized as an optical transmitter. The optical transmitter of the present disclosure adopts a waveguide structure in which a DFB laser and an SOA use an identical layer structure and yet have separate and different core widths (waveguide widths). Waveguides of different core widths are adopted to eliminate or mitigate the problem of waveform degradation due to a lack of saturation optical output or a pattern effect. In a portion between an EA modulator and the SOA, a passive waveguide region is introduced, and a tapering shape is used in the passive waveguide region whereby the waveguide width is varied continuously.
(FR)
La présente invention concerne une nouvelle configuration qui résout ou atténue le problème de dégradation de qualité de forme d'onde optique et d'absence de sortie optique tout en bénéficiant de la caractéristique permettant la simplification d'un processus de fabrication par le biais de l'utilisation d'une structure de couche identique dans un laser à rétroaction répartie à électro-absorption (EADFB) dans lequel un amplificateur optique à semi-conducteur (SOA) est intégré. Le laser EADFB dans lequel le SOA est intégré peut être utilisé comme un émetteur optique. L'émetteur optique selon la présente invention adopte une structure de guide d'ondes dans laquelle un laser DFB et un SOA utilisent une structure de couche identique et présentent cependant des largeurs de cœur distinctes et différentes (largeurs de guide d'ondes). Des guides d'ondes de différentes largeurs de cœur sont adoptés pour éliminer ou atténuer le problème de dégradation de forme d'onde due à un manque de sortie optique de saturation ou à un effet de motif. Dans une partie située entre un modulateur EA et le SOA, une région de guide d'ondes passif est introduite et une forme effilée est utilisée dans la région de guide d'ondes passif, moyennant quoi la largeur du guide d'ondes est modifiée en continu.
(JA)
本開示では、SOAを集積化したEADFBレーザにおいて、同一の層構造を用いて製造工程を簡素化できる特徴を生かしたままで、光波形品質の劣化や光出力の不足の問題を解決または軽減する新規な構成を示す。SOAを集積化したEADFBレーザは、光送信器として利用できる。本開示の光送信器では、DFBレーザおよびSOAで同一の層構造を用いつつ、別々の異なるコア幅(導波路幅)を持つ導波路構造を採用する。異なるコア幅の導波路を採用して、飽和光出力の不足やパターン効果による波形劣化の問題を解消し、軽減する。EA変調器とSOAとの間の部分には、パッシブ導波路領域を導入し、パッシブ導波路領域においてテーパ形状を用いて導波路幅を連続的に変化させる。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international