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1. WO2021058645 - DIODE GUNN ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/2021/058645
Date de publication 01.04.2021
N° de la demande internationale PCT/EP2020/076715
Date du dépôt international 24.09.2020
CIB
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 29/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
20comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/861 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
86commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861Diodes
H01L 33/38 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
38ayant une forme particulière
H01L 47/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
47Dispositifs à résistance négative à effet de volume, p.ex. dispositifs à effet Gunn; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02Dispositifs à effet Gunn
CPC
H01L 29/2003
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
20including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
2003Nitride compounds
H01L 33/0062
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
H01L 33/0075
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0062for devices with an active region comprising only III-V compounds
0075comprising nitride compounds
H01L 33/385
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
385the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
H01L 47/026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
47Bulk negative resistance effect devices, e.g. Gunn-effect devices; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
02Gunn-effect devices ; or transferred electron devices
026Gunn diodes
Déposants
  • TECHNISCHE UNIVERSITÄT DARMSTADT
Inventeurs
  • YILMAZOGLU, Oktay
  • HAJO, Ahid
Mandataires
  • LIFETECH IP
Données relatives à la priorité
10 2019 125 847.225.09.2019DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) GUNNDIODE UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) GUNN DIODE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DIODE GUNN ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Abrégé
(DE)
Es ist eine Gunndiode offenbart, die eine erste Kontaktschicht (110), eine zweite Kontaktschicht (120) und eine aktive Schicht (130) basierend auf einem Galli- umnitrid (GaN)-Halbleitermaterial mit einer Grundfläche (132) und einer dazu nicht-parallelen Seitenfläche (135) umfasst. Optional sind auch verwandte Mate- rialien wie Aluminium-Indium-Galliumnirid (AlInGaN) Materialien als aktive Schicht möglich. Die erste Kontaktschicht (110) kontaktiert die Seitenfläche (135) elektrisch, um einen Seitenkontakt (115) zu bilden. Die zweite Kontakt- schicht (120) bildet einen elektrischen Kontakt für die Grundfläche (132), sodass ein Maximum der elektrische Feldstärke beim Anlegen einer elektrischen Span- nung zwischen der ersten Kontaktschicht (110) und der zweiten Kontaktschicht (120) an dem Seitenkontakt (115) sich bildet.
(EN)
The invention discloses a Gunn diode comprising a first contact layer (110), a second contact layer (120) and an active layer (130) based on a gallium nitride (GaN) semiconductor material having a base surface (132) and a side surface (135) that does not extend parallel thereto. Optionally, related materials such as aluminium-indium-gallium nitride (AlInGaN) materials are also possible as the active layer. The first contact layer (110) electrically contacts the side surface (135) in order to form a side contact (115). The second contact layer (120) forms an electrical contact for the base surface (132) so that a maximum of the electrical field strength is formed at the side contact (115) when an electrical voltage is applied between the first contact layer (110) and the second contact layer (120).
(FR)
L'invention concerne une diode Gunn comprenant une première couche de contact (110), une seconde couche de contact (120) et une couche active (130) sur la base d'un matériau semi-conducteur de nitrure de gallium (GaN) ayant une surface de base (132) et une surface latérale (135) qui ne s'étend pas parallèlement à celle-ci. En option, des matériaux apparentés tels que des matériaux à base de nitrure d'aluminium-indium-gallium (AlInGaN) sont également possibles en tant que couche active. La première couche de contact (110) est en contact électrique avec la surface latérale (135) afin de former un contact latéral (115). La seconde couche de contact (120) forme un contact électrique pour la surface de base (132) de sorte qu'un maximum de la force de champ électrique soit formé au niveau du contact latéral (115) lorsqu'une tension électrique est appliquée entre la première couche de contact (110) et la seconde couche de contact (120).
Également publié en tant que
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