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1. WO2021056778 - PROCÉDÉ DE SOUDAGE POUR PLACAGE DE CUIVRE SUR LA SURFACE ARRIÈRE D'UNE PLAQUETTE

Numéro de publication WO/2021/056778
Date de publication 01.04.2021
N° de la demande internationale PCT/CN2019/119752
Date du dépôt international 20.11.2019
CIB
H01L 21/60 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
CPC
H01L 2224/80011
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
80001by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
80009Pre-treatment of the bonding area
8001Cleaning the bonding area, e.g. oxide removal step, desmearing
80011Chemical cleaning, e.g. etching, flux
H01L 2224/80012
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
80001by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
80009Pre-treatment of the bonding area
8001Cleaning the bonding area, e.g. oxide removal step, desmearing
80012Mechanical cleaning, e.g. abrasion using hydro blasting, brushes, ultrasonic cleaning, dry ice blasting, gas-flow
H01L 2224/80019
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
80001by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
80009Pre-treatment of the bonding area
8001Cleaning the bonding area, e.g. oxide removal step, desmearing
80019Combinations of two or more cleaning methods provided for in at least two different groups from H01L2224/8001 - H01L2224/80014
H01L 2224/80024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
80001by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
80009Pre-treatment of the bonding area
80024Applying flux to the bonding area in the bonding apparatus
H01L 2224/80203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
80001by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
802Applying energy for connecting
80201Compression bonding
80203Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
H01L 24/80
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
24Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
Déposants
  • 烟台台芯电子科技有限公司 YANTAI TAIXIN ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 张茹 ZHANG, Ru
  • 臧天程 ZANG, Tiancheng
  • 姜维宾 JIANG, Weibin
  • 安勇 AN, Yong
  • 金浩 JIN, Hao
Mandataires
  • 北京中创博腾知识产权代理事务所(普通合伙) BEIJING ZHONGCHUANG BOTEN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY (GENERAL PARTNERSHIP)
Données relatives à la priorité
201910909799.925.09.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) WELDING PROCESS FOR CLADDING COPPER ON BACK SURFACE OF WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE SOUDAGE POUR PLACAGE DE CUIVRE SUR LA SURFACE ARRIÈRE D'UNE PLAQUETTE
(ZH) 一种晶圆背面覆铜的焊接工艺
Abrégé
(EN)
Disclosed is a welding process for cladding copper on the back surface of a wafer, belonging to the technical field of wafer manufacturing. The process comprises the following steps: S1, grinding; S2, cleaning; S3, annealing; S4, grinding and cleaning for the second time, involving: repeating steps S1 and S2 on an annealed copper sheet (2); S5, printing, involving: printing a solder paste on the upper surface of the copper sheet (2); S6, welding, involving: placing a wafer (5) on the copper sheet (2) on which the solder paste printing is completed, wherein the back surface of the wafer (5) is in contact with the copper sheet (2), an upper substrate (1) is placed above the wafer (5) and a lower substrate (3) is placed below the copper sheet (2) to form a welding mechanism, the welding mechanism is placed in a vacuum welding furnace for welding at a welding temperature of 290ºC, and cooling is carried out after welding; S7, cleaning, involving: soaking the wafer (5), on which the copper sheet (2) is welded, by using bromopropane, then carrying out ultrasonic cleaning, and then soaking same by using alcohol and carrying out ultrasonic cleaning; and S8, carrying out hole detection. The present invention is used for solving the technical problems in the prior art of the temperature of a chip rising, and the chip being prone to breakage during packaging.
(FR)
Est divulgué un procédé de soudage pour placage de cuivre sur la surface arrière d'une plaquette, appartenant au domaine technique de la fabrication de plaquettes. Le procédé comprend les étapes suivantes : S1, le broyage ; S2, le nettoyage ; S3, le recuit ; S4, le broyage et le nettoyage pour la seconde fois, impliquant : la répétition des étapes S1 et S2 sur une feuille de cuivre recuite (2) ; S5, l'impression, impliquant : l'impression d'une pâte à souder sur la surface supérieure de la feuille de cuivre (2) ; S6, le soudage, impliquant : le placement d'une plaquette (5) sur la feuille de cuivre (2) sur laquelle l'impression de pâte à souder est achevée, la surface arrière de la plaquette (5) étant en contact avec la feuille de cuivre (2), un substrat supérieur (1) étant placé au-dessus de la plaquette (5) et un substrat inférieur (3) étant placé sous la feuille de cuivre (2) pour former un mécanisme de soudage, le mécanisme de soudage étant placé dans un four de soudage sous vide pour le soudage à une température de soudage de 290 °C, et le refroidissement étant effectué après le soudage ; S7, le nettoyage, impliquant : le trempage de la plaquette (5) sur laquelle la feuille de cuivre (2) est soudée à l'aide de bromopropane, la réalisation d'un nettoyage par ultrasons, puis le trempage de celle-ci à l'aide d'alcool et par réalisation d'un nettoyage par ultrasons ; et S8, la réalisation d'une détection de trou. La présente invention est utilisée pour résoudre les problèmes techniques de l'état de la technique selon lesquels la température d'une puce augmente et la puce est sujette à la rupture pendant l'encapsulation.
(ZH)
一种晶圆背面覆铜的焊接工艺,属于晶圆制造技术领域,该工艺步骤如下:S1:打磨;S2:清洗;S3:退火;S4:第二次打磨和清洗:将退火后的铜片(2)重复步骤S1和S2;S5:印刷:对铜片(2)上表面印刷锡膏;S6:焊接:将晶圆(5)放置于印刷完锡膏的铜片(2)上,晶圆(5)背面与铜片(2)接触,晶圆(5)上方放置上基板(1),铜片(2)下方放置下基板(3),形成焊接机构,将焊接结构放置于真空焊接炉进行焊接,焊接温度为290℃,焊接完成后进行冷却;S7:清洗:将焊接上铜片(2)的晶圆(5)使用溴丙烷浸泡,然后进行超声波清洗,然后再用酒精浸泡进行超声波清洗;S8:检测空洞;用以解决现有技术中芯片温升高、芯片封装时易碎裂的技术问题。
Également publié en tant que
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