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1. WO2021056603 - STRUCTURE D'ENCAPSULATION DE DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR DE TYPE DE PUISSANCE

Numéro de publication WO/2021/056603
Date de publication 01.04.2021
N° de la demande internationale PCT/CN2019/109576
Date du dépôt international 30.09.2019
CIB
H01L 23/367 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
367Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H01L 23/498 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488formées de structures soudées
498Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/48 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
CPC
H01L 23/3677
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
367Cooling facilitated by shape of device
3677Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
H01L 23/481
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; ; Selection of materials therefor
481Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
H01L 23/49
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; ; Selection of materials therefor
488consisting of soldered ; or bonded; constructions
49wire-like ; arrangements or pins or rods
H01L 23/49816
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; ; Selection of materials therefor
488consisting of soldered ; or bonded; constructions
498Leads, ; i.e. metallisations or lead-frames; on insulating substrates, ; e.g. chip carriers
49811Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
49816Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
H01L 23/49844
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; ; Selection of materials therefor
488consisting of soldered ; or bonded; constructions
498Leads, ; i.e. metallisations or lead-frames; on insulating substrates, ; e.g. chip carriers
49838Geometry or layout
49844for devices being provided for in H01L29/00
H01L 23/562
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
562Protection against mechanical damage
Déposants
  • 全球能源互联网研究院有限公司 GLOBAL ENERGY INTERCONNECTION RESEARCH INSTITUTE CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 邱宇峰 QIU, Yufeng
  • 李现兵 LI, Xianbing
  • 赵志斌 ZHAO, Zhibin
  • 吴军民 WU, Junmin
  • 张朋 ZHANG, Peng
  • 张雷 ZHANG, Lei
  • 唐新灵 TANG, Xinling
Mandataires
  • 北京品源专利代理有限公司 BEYOND ATTORNEYS AT LAW
Données relatives à la priorité
201910931350.229.09.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) POWER TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGING STRUCTURE
(FR) STRUCTURE D'ENCAPSULATION DE DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR DE TYPE DE PUISSANCE
(ZH) 功率型半导体器件封装结构
Abrégé
(EN)
A power type semiconductor device packaging structure, comprising several chip assemblies (4). Each chip assembly (4) comprises a first terminal and a second terminal; the C electrode (1) of a semiconductor device is connected to the first terminal; the E electrode (3) of the semiconductor device is connected to the second terminal. A flexible conductive layer (5) and an insulating plate (10) with two surfaces being coated with conductive layers are further comprised. One surface of the insulating plate (10) is connected to the first terminal; the other surface of the insulating plate (10) is provided with several first conductive protrusions (10a) used for bearing the flexible conductive layer (5); the first conductive protrusions (10a) connect the other surface of the insulating plate (10) with the flexible conductive layer (5); the flexible conductive layer (5) is connected to the E electrode (3).
(FR)
L'invention concerne une structure d'encapsulation de dispositif semiconducteur de type de puissance, comprenant plusieurs ensembles de puces (4). Chaque ensemble de puce (4) comprend une première borne et une deuxième borne. L'électrode C (1) d'un dispositif semiconducteur est connectée à la première borne et l'électrode E (3) du dispositif semiconducteur est connectée à la deuxième borne. L'invention concerne en outre une couche conductrice souple (5) et une plaque isolante (10) avec deux surfaces qui sont revêtues de couches conductrices. Une surface de la plaque isolante (10) est connectée à la première borne ; l'autre surface de la plaque isolante (10) est pourvue de plusieurs premières protubérances conductrices (10a) utilisées pour supporter la couche conductrice souple (5) ; les premières protubérances conductrices (10a) connectent l'autre surface de la plaque isolante (10) à la couche conductrice souple (5) ; la couche conductrice souple (5) est connectée à l'électrode E (3).
(ZH)
一种功率型半导体器件封装结构,包括若干芯片组件(4),所述芯片组件(4)包括第一端子和第二端子,半导体器件的C电极(1)与第一端子连接,所述半导体器件的E电极(3)与第二端子连接,还包括,柔性导电层(5)及双面覆导电层的绝缘板(10),所述绝缘板(10)的一面与第一端子连接,所述绝缘板(10)的另一面设置若干用于承接柔性导电层(5)的第一导电凸起(10a),所述第一导电凸起(10a)连接所述绝缘板(10)的另一面与所述柔性导电层(5),所述柔性导电层(5)与E电极(3)连接。
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