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1. WO2021056483 - UNITÉ MTJ, PROCÉDÉ D'ATTAQUE DE VCMA ET MRAM

Numéro de publication WO/2021/056483
Date de publication 01.04.2021
N° de la demande internationale PCT/CN2019/108766
Date du dépôt international 27.09.2019
CIB
H01L 43/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
G11C 11/16 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
16utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
CPC
G11C 11/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
H01L 43/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
12Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants
  • 华为技术有限公司 HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 秦健鹰 QIN, Jianying
  • 许俊豪 XU, Jeffrey Junhao
Mandataires
  • 北京同达信恒知识产权代理有限公司 TDIP & PARTNERS
Données relatives à la priorité
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) MTJ UNIT, VCMA DRIVING METHOD AND MRAM
(FR) UNITÉ MTJ, PROCÉDÉ D'ATTAQUE DE VCMA ET MRAM
(ZH) 一种MTJ单元、VCMA驱动方法及MRAM
Abrégé
(EN)
An MTJ unit, a VCMA driving method and an MRAM, wherein in the MTJ unit, there is an included angle between a stable magnetic moment direction of a free layer (101) and a magnetic moment direction of a reference layer (103), and the included angle is greater than 0 degrees, less than 180 degrees and not equal to 90 degrees. When a VCMA driving scheme is used to write data, the MTJ unit can consume less electric energy, such that the MTJ unit has a relatively low power consumption.
(FR)
L'invention concerne une unité MTJ, un procédé d'attaque de VCMA et une MRAM, dans l'unité MTJ, un angle inclus étant présent entre une direction de moment magnétique stable d'une couche libre (101) et une direction de moment magnétique d'une couche de référence (103) et l'angle inclus est supérieur à 0 degré, inférieur à 180 degrés et non égal à 90 degrés. Lorsqu'un schéma d'attaque de VCMA est utilisé pour écrire des données, l'unité MTJ peut consommer moins d'énergie électrique, de telle sorte que l'unité MTJ présente une consommation d'énergie relativement faible.
(ZH)
一种MTJ单元、VCMA驱动方法及MRAM,其中,MTJ单元中自由层(101)的稳定磁矩方向和参考层(103)的磁矩方向之间存在夹角,且夹角大于0度,小于180度,不等于90度。在采用VCMA驱动方案写入数据时,该MTJ单元可以消耗较少的电能,因此该MTJ单元具有较低的功耗。
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