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1. WO2021056472 - STRUCTURE À PUITS QUANTIQUES MULTIPLES, TRANCHE ÉPITAXIALE DE DISPOSITIF PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF PHOTOÉLECTRIQUE

Numéro de publication WO/2021/056472
Date de publication 01.04.2021
N° de la demande internationale PCT/CN2019/108734
Date du dépôt international 27.09.2019
CIB
H01L 33/38 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
38ayant une forme particulière
H01L 33/06 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
04ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
CPC
H01L 33/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
04with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
06within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
H01L 33/38
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
Déposants
  • 中国科学技术大学 UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 孙海定 SUN, Haiding
  • 余华斌 YU, Huabin
Mandataires
  • 中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.
Données relatives à la priorité
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) MULTI-QUANTUM-WELL STRUCTURE, PHOTOELECTRIC DEVICE EPITAXIAL WAFER AND PHOTOELECTRIC DEVICE
(FR) STRUCTURE À PUITS QUANTIQUES MULTIPLES, TRANCHE ÉPITAXIALE DE DISPOSITIF PHOTOÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF PHOTOÉLECTRIQUE
(ZH) 一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件
Abrégé
(EN)
A multi-quantum-well structure, a photoelectric device epitaxial wafer and a photoelectric device, wherein the multi-quantum-well structure is composed of first quantum barrier layers and first quantum well layers that grow alternately; and in the multi-quantum-well structure, the last layer along the growth direction is a first quantum well layer. Configuring the last layer of the multi-quantum-well structure to be a quantum well layer effectively suppresses electrons from overflowing from an active region, and applying the multi-quantum-well structure to the photoelectric device epitaxial wafer and the photoelectric device improves the internal quantum efficiency, the external quantum efficiency and the light output power of the photoelectric device, and realizes the preparation of a high-power photoelectric device.
(FR)
L'invention concerne une structure à puits quantiques multiples, une tranche épitaxiale de dispositif photoélectrique et un dispositif photoélectrique, la structure à puits quantiques multiples étant composée de premières couches de barrière quantique et de premières couches de puits quantique qui se développent en alternance; et dans la structure à puits quantiques multiples, la dernière couche dans la direction de croissance est une première couche de puits quantique. Configurer la dernière couche de la structure à puits quantiques multiples pour former une couche de puits quantique empêche efficacement les électrons de déborder d'une région active, et l'application de la structure à puits quantiques multiples à la tranche épitaxiale de dispositif photoélectrique et au dispositif photoélectrique améliore le rendement quantique interne, le rendement quantique externe et la puissance d'émission de lumière du dispositif photoélectrique, et réalise la préparation d'un dispositif photoélectrique de forte puissance.
(ZH)
一种多量子阱结构、光电器件外延片及光电器件,其中,多量子阱结构由交替生长的第一量子垒层和第一量子阱层组成,多量子阱结构中,沿其生长方向的最后一层为第一量子阱层。通过将多量子阱结构的最后一层设置为量子阱层,有效抑制了电子从有源区溢出,并将其应用于光电器件外延片及光电器件中,提升了光电器件的内量子效率、外量子效率和光输出功率,实现了大功率光电器件的制备。
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