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1. WO2021044017 - ASSOCIATION DE TRANSISTORS

Numéro de publication WO/2021/044017
Date de publication 11.03.2021
N° de la demande internationale PCT/EP2020/074832
Date du dépôt international 04.09.2020
CIB
H03K 17/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
12Modifications pour augmenter le courant commuté maximal admissible
H03K 17/0812 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
08Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension
081sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
0812par des dispositions prises dans le circuit de commande
CPC
H03K 17/08122
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
081without feedback from the output circuit to the control circuit
0812by measures taken in the control circuit
08122in field-effect transistor switches
H03K 17/122
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
12Modifications for increasing the maximum permissible switched current
122in field-effect transistor switches
Déposants
  • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR]/[FR]
Inventeurs
  • ESCOFFIER, René
  • BUCKLEY, Julien
Mandataires
  • CABINET BEAUMONT
Données relatives à la priorité
FR190977105.09.2019FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) TRANSISTOR COMBINATION
(FR) ASSOCIATION DE TRANSISTORS
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a circuit (1) intended to be combined in series with a load to be supplied (3), comprising: a first field effect transistor (100); at least one second field effect transistor (102) combined in parallel with the first transistor; and at least one sensor (130) for information representative of a current transmitted to said load, the gate of the second transistor being connected to an output (150) of said sensor.
(FR)
La présente description concerne un circuit (1), destiné à être associé en série avec une charge à alimenter (3), comportant : un premier transistor à effet de champ (100); au moins un deuxième transistor à effet de champ (102), associé en parallèle du premier transistor; et au moins un capteur (130) d'une information représentative d'un courant transmis à ladite charge, la grille du deuxième transistor étant reliée à une sortie (150) dudit capteur.
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