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1. WO2021040580 - PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAUX D'UN HALOGÉNURE COMPLEXE ORGANIQUE-INORGANIQUE

Numéro de publication WO/2021/040580
Date de publication 04.03.2021
N° de la demande internationale PCT/RU2020/050211
Date du dépôt international 30.08.2020
CIB
C30B 7/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
7Croissance des monocristaux à partir de solutions en utilisant des solvants liquides à la température ordinaire, p.ex. à partir de solutions aqueuses
14le matériau à cristalliser étant produit dans la solution par des réactions chimiques
C30B 29/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
12Halogénures
C30B 29/54 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
54Composés organiques
CPC
C30B 29/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
12Halides
C30B 29/54
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
54Organic compounds
C30B 7/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
7Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
C30B 7/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
7Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
14the crystallising materials being formed by chemical reactions in the solution
Déposants
  • ФАТЕЕВ, Сергей Анатольевич FATEEV, Sergei Anatolievich [RU]/[RU]
  • ПЕТРОВ, Андрей Андреевич PETROV, Andrey Andreevich [RU]/[RU]
  • ГУДИЛИН, Евгений Алексеевич GUDILIN, Evgeny Alekseevich [RU]/[RU]
  • ТАРАСОВ, Алексей Борисович TARASOV, Alexey Borisovich [RU]/[RU]
Inventeurs
  • ФАТЕЕВ, Сергей Анатольевич FATEEV, Sergei Anatolievich
  • ПЕТРОВ, Андрей Андреевич PETROV, Andrey Andreevich
  • ГУДИЛИН, Евгений Алексеевич GUDILIN, Evgeny Alekseevich
  • ТАРАСОВ, Алексей Борисович TARASOV, Alexey Borisovich
Mandataires
  • КУПРИЯНОВА, Ольга Ивановна KUPRIYANOVA, Olga Ivanovna
Données relatives à la priorité
201912740430.08.2019RU
Langue de publication russe (RU)
Langue de dépôt russe (RU)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTALS OF AN ORGANIC-INORGANIC COMPLEX HALIDE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAUX D'UN HALOGÉNURE COMPLEXE ORGANIQUE-INORGANIQUE
(RU) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ОРГАНО-НЕОРГАНИЧЕСКОГО КОМПЛЕКСНОГО ГАЛОГЕНИДА
Abrégé
(EN)
The invention relates to the fabrication of single crystals, in particular, methods for obtaining single crystals of organic- inorganic complex halides from a solution by chemical transformation of a solvent. The technical result is to provide the possibility of reducing OICHs components solubility by solvent conversion to products, not able or poorly able to dissolve OICHs directly in the solution composition, from which the crystallization is carried out, which contributes to produce single crystals with a specified composition at a constant temperature. The claimed technical result is achieved by the method for producing single crystals of organic-inorganic complex halides (OICHs) with the formula A n BX( nz+k ), where z = 1-2, k = 2-4, 0 (FR)
L'invention concerne des techniques de production de monocristaux, notamment des procédés de production de monocristaux d'halogénures complexes organiques-inorganiques à partir de solutions par la conversion chimique d'un solvant. Le résultat technique consiste en la possibilité de réduire la solubilité des composants de HCOI dans une solution par la conversion chimique dûn solvant en un produit qui ne dissout pas ou dissout faiblement le HCOI immédiatement dans une composition en solution à partir de laquelle on effectue une cristallisation, ce qui permet d'obtenir des monocristaux ayant une composition chimique donnée à partir d'une solution à température constante. Ce résultat technique est obtenu à l'aide d'un procédé de production de monocristaux d'un halogénure complexe organique-inorganique (HCOI) ayant la composition AnBX(nz+k), où z = 1-2, k = 2-4, 0 1); - un réactif (M) choisi dans une quantité assurant un rapport molaire M/S de 0,05 à 15, destiné à la réaction chimique avec le solvant S et assurant sa conversion chimique dont le produit est au moins un composé gazeux ou en phase liquide, ou leur mélange (S1), la solubilité du HCOI dans ce dernier étant de (C1, T1), où C1z+ ou un cation inorganique choisi parmi des cations d'ammonium (NH4+), césium (Cs+) ou rubidium (Rb+) ou leur mélange; - un cation polyvalent de métal Bk+; un halogénure ou pseudohalogénure ion X-; dans la composition en solution, la concentration de [Az+] varie de 0,1M à 7M, la concentration de [Bk+] varie de 0,1Mà 3,5M, la concentration de [X-] varie de 0,2M à 10M; la composition en solution possède une concentration en CHOI inférieure ou égale à la solubilité du CHOI (С1, T1) dans la solution selon un rapport M/S donné; B) maintenir la composition en solution obtenue à une température constante T1 jusqu'à atteindre une conversion chimique d'au moins 10% de S en S1, assurant ainsi la formation de monocristaux de CHOI.
(RU)
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов, в частности, к способам получения монокристаллов органо-неорганических комплексных галогенидов из растворов за счёт химического превращения растворителя. Технический результат заключается в обеспечении возможности снижения растворимости компонентов ОНКГ в растворе путём химической конверсии растворителя в продукт, не растворяющий или плохо растворяющий ОНКГ непосредственно в растворной композиции, из которой проводят кристаллизацию, что способствует получению монокристаллов заданного химического состава из раствора при постоянной температуре. Заявляемый технический результат достигается тем, что способ получения монокристаллов органо-неорганического комплексного галогенида (ОНКГ) состава AnBX(nz+k), где z = 1-2, k = 2-4, 0 1), растворимость ОНКГ в котором равна C1(T), где C1 меньше C(T); • - компоненты ОНКГ, в качестве которых используют - органический катион Az+ или неорганический катион, выбранный из катионов аммония (NH4+), цезия (Cs+) или рубидия (Rb+) или их смесь; • - поливалентный катион металла Bk+; • - галогенид или псевдогалогенид ион X-, при этом в растворной композиции концентрация [Az+] составляет от 0.1М до 7М, концентрация [Bk+] составляет от 0.1М до 3.5М, концентрация [X-] составляет от 0.2М до 10М; • Б) выдерживание полученной растворной композиции при постоянной температуре T до достижения химической конверсии по меньшей мере 10% S в S1, обеспечивающей формирование монокристаллов ОНКГ.
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