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1. WO2021039218 - PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2021/039218
Date de publication 04.03.2021
N° de la demande internationale PCT/JP2020/028289
Date du dépôt international 21.07.2020
CIB
H01L 21/683 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
C23C 14/50 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
50Porte-substrat
CPC
C23C 14/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
C23C 14/50
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
50Substrate holders
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 竹山 環 TAKEYAMA Tamaki
  • 千早 宏昭 CHIHAYA Hiroaki
  • 山形 基 YAMAGATA Motoi
  • 中川西 学 NAKAGAWASAI Manabu
  • 居本 伸二 ORIMOTO Shinji
Mandataires
  • 高山 宏志 TAKAYAMA Hiroshi
Données relatives à la priorité
2019-15714529.08.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND DEVICE FOR SUBSTRATE PROCESSING
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板を処理する方法および装置
Abrégé
(EN)
In this substrate processing method, a substrate processing device is prepared which comprises a rotatable stage on which a substrate is mounted, a frozen heat transfer body which is arranged fixed on the back side of the stage and separated from the stage by a gap and which is cooled to an extremely low temperature, a gas supply mechanism which supplies a cooling gas into said gap for transferring the cold heat of the frozen heat transfer body to the stage, a rotation mechanism which rotates the stage, and a processing mechanism which processes the substrate; the stage is preheated such that the stage temperature is a steady cooled temperature within a fixed range; after preheating, while the substrate, at a specific temperature greater than or equal to room temperature, is mounted on the stage, which is at the steady cooled temperature; and a plurality of substrates is continuously subjected to substrate processing performed with the processing mechanism while rotating the stage.
(FR)
Dans ce procédé de traitement de substrat, un dispositif de traitement de substrat est préparé, qui comprend une platine rotative sur laquelle un substrat est monté, un corps de transfert de chaleur congelé qui est agencé de manière fixe sur le côté arrière de la platine et séparé de la platine par un espace et qui est refroidi à une température extrêmement basse, un mécanisme d'alimentation en gaz qui fournit un gaz de refroidissement dans ledit espace pour transférer la chaleur froide du corps de transfert de chaleur congelé à la platine, un mécanisme de rotation qui fait tourner la platine et un mécanisme de traitement qui traite le substrat ; l'étage est préchauffé de sorte que la température de la platine est une température refroidie stable dans une plage fixe ; après le préchauffage, tandis que le substrat, à une température spécifique supérieure ou égale à la température ambiante, est monté sur l'étage, qui est à la température refroidie stable ; et une pluralité de substrats est soumise en continu à un traitement de substrat réalisé avec le mécanisme de traitement tout en entraînant la platine en rotation.
(JA)
基板を処理する方法は、回転可能に設けられ、基板が載置されるステージと、ステージの裏面側に前記ステージと隙間を介して固定配置され、極低温に冷却される冷凍伝熱体と、その隙間に、冷凍伝熱体の冷熱をステージに伝熱するための冷却ガスを供給するガス供給機構と、ステージを回転させる回転機構と、基板に処理を施す処理機構とを有する基板を処理する装置を準備することと、ステージの温度が一定範囲の定常冷却温度になるようにステージをプリヒートすることと、プリヒート後、定常冷却温度のステージ上に常温以上の特定温度の基板を載置しつつステージを回転させながら行う処理機構による基板の処理を、複数の基板に対して連続して行うこととを有する。
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