Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2021038958 - APPAREIL DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE

Numéro de publication WO/2021/038958
Date de publication 04.03.2021
N° de la demande internationale PCT/JP2020/017310
Date du dépôt international 22.04.2020
CIB
C23C 16/455 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
455caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/40 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
40Oxydes
H01L 21/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
H01L 21/316 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
316composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
Déposants
  • 株式会社明電舎 MEIDENSHA CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 亀田 直人 KAMEDA, Naoto
  • 三浦 敏徳 MIURA, Toshinori
  • 花倉 満 KEKURA, Mitsuru
Mandataires
  • 小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi
  • 富岡 潔 TOMIOKA, Kiyoshi
  • 鵜澤 英久 UZAWA, Hidehisa
  • 太田 友幸 OTA, Tomoyuki
Données relatives à la priorité
2019-15812830.08.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ATOMIC LAYER DEPOSITION DEVICE AND ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD
(FR) APPAREIL DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE
(JA) 原子層堆積装置および原子層堆積方法
Abrégé
(EN)
In a chamber (2) in an ALD device (1), a shower head (4) located at a position that faces a film-forming surface (10a) is provided with raw material gas ejection ports (41) and OH*-forming gas ejection ports (42) which are arranged alternatively at predetermined intervals in two directions along the film-forming surface (also referred to as "two film-forming surface directions") so as to face the film-forming surface (10a). Each of the OH*-forming gas ejection ports (42) is provided with a first ejection port (42a) through which an ozone gas is to be ejected and a second ejection port (42b) through which an unsaturated hydrocarbon gas is to be ejected. An oxide film (11) is formed on the film-forming surface (10a) by ejecting a raw material gas through each of the raw material gas ejection ports (41) and ejecting the ozone gas and the unsaturated hydrocarbon gas respectively through the first and second ejection ports (42a,42b) in each of the OH*-forming gas ejection ports (42) while moving a film-forming object (10) in the two film-forming surface directions along the film-forming surface (10a).
(FR)
L'invention concerne un dispositif ALD (1) dans une chambre (2) duquel une pomme de douche (4) située à une position qui fait face à une surface de formation de film (10a) est pourvue d'orifices d'éjection de gaz de matière première (41) et d'orifices d'éjection de gaz formant de l'OH* (42) qui sont disposés en alternance à des intervalles prédéterminés dans deux directions le long de la surface de formation de film (également appelées " deux directions de surface de formation de film") de manière à faire face à la surface de formation de film (10a). Chacun des orifices d'éjection de gaz formant de l'OH* (42) est pourvu d'un premier orifice d'éjection (42a) à travers lequel doit être éjecté un gaz d'ozone et d'un deuxième orifice d'éjection (42b) à travers lequel doit être éjecté un gaz d'hydrocarbure insaturé. Un film d'oxyde (11) est formé sur la surface de formation de film (10a) par éjection d'un gaz de matière première à travers chacun des orifices d'éjection de gaz de matière première (41) et par éjection du gaz d'ozone et du gaz d'hydrocarbure insaturé respectivement à travers les premier et deuxième orifices d'éjection (42a, 42b) dans chacun des orifices d'éjection de gaz formant de l'OH* (42) tout en déplaçant un objet de formation de film (10) dans les deux directions de surface de formation de film le long de la surface de formation de film (10a).
(JA)
ALD装置(1)のチャンバ(2)における被成膜面(10a)と対向した位置のシャワーヘッド(4)は、原料ガス噴出口(41)とOH*形成ガス噴出口(42)とが、被成膜面(10a)と対向して被成膜面二方向に所定間隔を隔てて交互に設けられているものとする。また、OH*形成ガス噴出口(42)は、オゾンガスを噴き出す第1噴出口(42a)と、不飽和炭化水素ガスを噴き出す第2噴出口(42b)と、を有してなるものとする。そして、被成膜対象物(10)を、被成膜面(10a)に沿った被成膜面二方向において移動させながら、原料ガス噴出口(41)から原料ガスを噴き出し、OH*形成ガス噴出口(42)の第1,第2噴出口(42a,42b)からオゾンガス,不飽和炭化水素ガスをそれぞれ噴き出すことにより、当該被成膜面(10a)に酸化膜(11)を形成する。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international