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1. WO2021038787 - DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM, DISPOSITIF DE CONVERSION D'ENERGIE ÉLECTRIQUE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM

Numéro de publication WO/2021/038787
Date de publication 04.03.2021
N° de la demande internationale PCT/JP2019/033889
Date du dépôt international 29.08.2019
CIB
H01L 29/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 29/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
CPC
H01L 29/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
H01L 29/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
Déposants
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 富永 貴亮 TOMINAGA, Takaaki
Mandataires
  • 村上 加奈子 MURAKAMI, Kanako
  • 松井 重明 MATSUI, Jumei
  • 倉谷 泰孝 KURATANI, Yasutaka
Données relatives à la priorité
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRIC POWER CONVERSION DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM, DISPOSITIF DE CONVERSION D'ENERGIE ÉLECTRIQUE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置、電力変換装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
Abrégé
(EN)
A silicon carbide semiconductor device which is provided with: a silicon carbide semiconductor substrate (10); a drift layer (20) that is formed on the semiconductor substrate (10); well regions (30) that are formed in a surface layer part of the drift layer (20); a JFET region (21) of a first conductivity type, said JFET region being sandwiched between the well regions (30); a source region (40) of the first conductivity type and a well contact region (35), said regions being formed within each well region (30); a source contact region (70) that is in contact with the source region (40) and the well contact region (35); an epitaxial layer (80) of a second conductivity type, said epitaxial layer being formed on the JFET region (21); a conduction region (90) of the first conductivity type, said conduction region being formed on the JFET region (21) and the well regions (30) so that a surface thereof is within the same plane as the epitaxial layer (80) of the second conductivity type; a gate insulating film (50) that is formed on the epitaxial layer (80) of the second conductivity type and the conduction region (90) of the first conductivity type; and a gate electrode (60).
(FR)
L'invention concerne un dispositif semi-conducteur au carbure de silicium qui est pourvu : d'un substrat semi-conducteur en carbure de silicium (10) ; d'une couche de dérive (20) qui est formée sur le substrat semi-conducteur (10) ; des régions de puits (30) qui sont formées dans une partie de couche de surface de la couche de dérive (20) ; d'une région JFET (21) d'un premier type de conductivité, ladite région JFET étant prise en sandwich entre les régions de puits (30) ; d'une région de source (40) du premier type de conductivité et d'une région de contact de puits (35), lesdites régions étant formées à l'intérieur de chaque région de puits (30) ; d'une région de contact de source (70) qui est en contact avec la région de source (40) et la région de contact de puits (35) ; d'une couche épitaxiale (80) d'un second type de conductivité, ladite couche épitaxiale étant formée sur la région JFET (21) ; d'une région de conduction (90) du premier type de conductivité, ladite région de conduction étant formée sur la région JFET (21) et les régions de puits (30) de sorte qu'une surface de celle-ci se trouve dans le même plan que la couche épitaxiale (80) du second type de conductivité ; d'un film d'isolation de grille (50) qui est formée sur la couche épitaxiale (80) du second type de conductivité et la région de conduction (90) du premier type de conductivité ; et d'une électrode de grille (60).
(JA)
炭化珪素の半導体基板(10)と、半導体基板(10)上に形成されたドリフト層(20)と、ドリフト層(20)表層部に形成されたウェル領域(30)と、ウェル領域(30)に挟まれた第1導電型のJFET領域(21)と、ウェル領域(30)内に形成された第1導電型のソース領域(40)とウェルコンタクト領域(35)と、ソース領域(40)とウェルコンタクト領域(35)とに接するソースコンタクト(70)と、JFET領域(21)上に形成された第2導電型エピタキシャル層(80)と、第2導電型エピタキシャル層(80)と表面が同じ平面内にあり、JET領域(21)およびウェル領域(30)上に形成された第1導電型伝導領域(90)と、第2導電型エピタキシャル層(80)および第1導電型伝導領域(90)上に形成されたゲート絶縁膜(50)と、ゲート電極(60)とを備えた炭化珪素半導体装置。
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