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1. WO2021035803 - PROCÉDÉ DE CRIBLAGE DYNAMIQUE DE BLOCS DANGEREUX POUR FLASH NON-ET

Numéro de publication WO/2021/035803
Date de publication 04.03.2021
N° de la demande internationale PCT/CN2019/105122
Date du dépôt international 10.09.2019
CIB
G11C 29/42 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
29Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
04Détection ou localisation d'éléments d'emmagasinage défectueux
08Test fonctionnel, p.ex. test lors d'un rafraîchissement, auto-test à la mise sous tension ou test réparti
12Dispositions intégrées pour les tests, p.ex. auto-test intégré
38Dispositifs de vérification de réponse
42utilisant des codes correcteurs d'erreurs ou un contrôle de parité
CPC
G06F 3/0619
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
3Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
06Digital input from or digital output to record carriers ; , e.g. RAID, emulated record carriers, networked record carriers
0601Dedicated interfaces to storage systems
0602specifically adapted to achieve a particular effect
0614Improving the reliability of storage systems
0619in relation to data integrity, e.g. data losses, bit errors
G06F 3/064
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
3Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
06Digital input from or digital output to record carriers ; , e.g. RAID, emulated record carriers, networked record carriers
0601Dedicated interfaces to storage systems
0628making use of a particular technique
0638Organizing or formatting or addressing of data
064Management of blocks
G06F 3/0679
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
3Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
06Digital input from or digital output to record carriers ; , e.g. RAID, emulated record carriers, networked record carriers
0601Dedicated interfaces to storage systems
0668adopting a particular infrastructure
0671In-line storage system
0673Single storage device
0679Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
G11C 29/42
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
04Detection or location of defective memory elements ; , e.g. cell constructio details, timing of test signals
08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] ; or interconnection details
38Response verification devices
42using error correcting codes [ECC] or parity check
G11C 29/44
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
04Detection or location of defective memory elements ; , e.g. cell constructio details, timing of test signals
08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
12Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] ; or interconnection details
44Indication or identification of errors, e.g. for repair
Déposants
  • 江苏华存电子科技有限公司 JIANGSU HUACUN ELECTRONIC TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 张明 ZHANG, Ming
  • 魏智汎 WEI, Zhifan
  • 王展南 WANG, Zhannan
  • 曾瑞华 ZENG, Ruihua
Données relatives à la priorité
201910794154.527.08.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) DYNAMIC DANGEROUS BLOCK SCREENING METHOD FOR NAND FLASH
(FR) PROCÉDÉ DE CRIBLAGE DYNAMIQUE DE BLOCS DANGEREUX POUR FLASH NON-ET
(ZH) 一种动态NandFlash危险块筛选的方法
Abrégé
(EN)
A dynamic dangerous block screening method for an NAND Flash. All readable voltages are used for a page in a block that is subjected to ECC Fail under a default voltage, and whether there is a voltage capable of reducing an Error Bit of the page to below a threshold value is checked. If Error Bits read by using all the readable voltages are all greater than the threshold value T, this block is marked as a dangerous block, and if an Error Bit read by using one readable voltage is not greater than the threshold value T, this block is considered to be normal. A dangerous block that causes poor internal characteristics of an NAND Flash during the usage process can be screened. A user reads data from the screened dangerous block, places the data in a normal block, and avoids further using this dangerous block, thereby avoiding causing a series of problems of instability because the dangerous block is used next time, and improving the stability of a product.
(FR)
Procédé de criblage dynamique de blocs dangereux pour Flash NON-ET. Toutes les tensions lisibles sont utilisées pour une page dans un bloc qui est soumis à un échec ECC sous une tension par défaut, et s'il existe une tension capable de réduire un bit d'erreur de la page jusqu'à une valeur inférieure à une valeur seuil. Si des bits d'erreur lus au moyen de toutes les tensions lisibles sont tous supérieurs à la valeur seuil T, ce bloc est marqué en tant que bloc dangereux, et si un bit d'erreur lu au moyen d'une tension lisible n'est pas supérieur à la valeur seuil T, ce bloc est considéré comme étant normal. Un bloc dangereux qui provoque de mauvaises caractéristiques internes d'un Flash NON-ET pendant le processus d'utilisation peut être criblé. Un utilisateur lit des données à partir du bloc dangereux criblé, place les données dans un bloc normal, et évite en outre l'utilisation de ce bloc dangereux, ce qui permet d'éviter une série de problèmes d'instabilité en raison du fait que le bloc dangereux est utilisé la prochaine fois, et d'améliorer la stabilité d'un produit.
(ZH)
一种动态NandFlash危险块筛选的方法,将在默认电压下出现ECC Fail的块中的页使用所有的可读取电压,并看是否有电压能将页的Error Bit降到阈值以下,若使用所有可读取电压读出的Error Bit都大于阈值T,则将这个块标记为危险块,若有一个读取电压读出的Error Bit不大于阈值T,则认为这个块是正常的。可以筛选出在使用过程中导致NandFlash内特性不佳的危险块,用户把经过筛选的危险块的数据读出,放到正常块中,并把这个危险块避过不再使用,避免因为下次使用了危险块导致一系列不稳定的问题出现,提升了产品的稳定性。
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