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1. WO2021020539 - MONOCRISTAL DE SCALMGO4, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET SUBSTRAT AUTOPORTEUR

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Numéro de publication WO/2021/020539
Date de publication 04.02.2021
N° de la demande internationale PCT/JP2020/029352
Date du dépôt international 30.07.2020
CIB
C30B 29/22 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
16Oxydes
22Oxydes complexes
C30B 15/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
CPC
C30B 15/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
C30B 29/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
22Complex oxides
Déposants
  • 株式会社福田結晶技術研究所 FUKUDA CRYSTAL LABORATORY [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 福田　承生 FUKUDA, Tsuguo
  • 白石　裕児 SHIRAISHI,Yuji
  • 南都　十輝 NANTO, Toki
  • 藤井　高志 FUJII, Takashi
Mandataires
  • 福森　久夫 FUKUMORI, Hisao
Données relatives à la priorité
2019-13972730.07.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SCALMGO4 SINGLE CRYSTAL, PREPARATION METHOD FOR SAME, AND FREE-STANDING SUBSTRATE
(FR) MONOCRISTAL DE SCALMGO4, SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ET SUBSTRAT AUTOPORTEUR
(JA) ＳｃＡｌＭｇＯ４単結晶及びその作成方法並びに自立基板
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Abrégé
(EN)
The purpose of the present invention is to provide: a method for growing a ScAlMgO4 single crystal that does not have dislocation defects; and a single crystal. This single crystal growth method is a method for preparing a ScAlMgO4 single crystal by bringing a seed crystal into contact with a molten raw material that is in a crucible and then lifting the seed crystal out while the seed crystal is rotated to form a ScAlMgO4 single crystal. The method for preparing a ScAlMgO4 single crystal is characterized in that a seed crystal that does not have dislocations is used as the seed crystal, in that the vertical temperature gradient around the seed crystal is larger than the vertical temperature gradient elsewhere, and in that the composition ratio of the molten starting material is Sc2O3:Al2O3:MgO=25.5%–28.5%:25.0%–28.0%:42.0%–50.0%.
(FR)
L'objet de la présente invention est de fournir : un procédé de croissance d'un monocristal de ScAlMgO4 qui ne présente pas de défauts de dislocation; et un monocristal. Ce procédé de croissance de monocristal est un procédé de préparation d'un monocristal de ScAlMgO4 par mise en contact d'un germe cristallin avec une matière première fondue qui se trouve dans un creuset puis relevage du germe cristallin hors de celui-ci tandis que le germe cristallin est mis en rotation pour former un monocristal de ScAlMgO4. Le procédé de préparation d'un monocristal de ScAlMgO4 est caractérisé en ce qu'un germe cristallin qui ne présente pas de dislocations est utilisé en tant que germe cristallin, en ce que le gradient vertical de température autour du germe cristallin est plus grand que le gradient vertical de température par ailleurs, et en ce que le rapport de composition de la matière première fondue est de Sc2O3:Al2O3:MgO = 25,5 % – 28,5 % : 25,0 % – 28,0 % : 42,0 % – 50,0 %.
(JA)
本発明は、転位欠陥の無いＳｃＡｌＭｇＯ４単結晶の育成方法及び単結晶を提供することを目的とする。 本発明の単結晶育成方法は、種結晶をルツボ内の溶融原料に接触させ、該種結晶を回転させながら引き上げることによりＳｃＡｌＭｇＯ４単結晶を作成するＳｃＡｌＭｇＯ４単結晶の作成方法において、前記種結晶として無転位の種結晶を用い、前記種結晶の周辺における垂直方向の温度勾配を、他の部分における垂直方法の温度勾配よりも大きくし、融液とする出発原料の組成比をＳｃ２Ｏ３：Ａｌ２Ｏ３：ＭｇＯ＝２５．５～２８．５％：２５．０～２８．０％：４２．０～５０．０％とすることを特徴とするＳｃＡｌＭｇＯ４単結晶の作成方法。
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