(EN) The purpose of the present invention is to provide: a method for growing a ScAlMgO4 single crystal that does not have dislocation defects; and a single crystal. This single crystal growth method is a method for preparing a ScAlMgO4 single crystal by bringing a seed crystal into contact with a molten raw material that is in a crucible and then lifting the seed crystal out while the seed crystal is rotated to form a ScAlMgO4 single crystal. The method for preparing a ScAlMgO4 single crystal is characterized in that a seed crystal that does not have dislocations is used as the seed crystal, in that the vertical temperature gradient around the seed crystal is larger than the vertical temperature gradient elsewhere, and in that the composition ratio of the molten starting material is Sc2O3:Al2O3:MgO=25.5%–28.5%:25.0%–28.0%:42.0%–50.0%.
(FR) L'objet de la présente invention est de fournir : un procédé de croissance d'un monocristal de ScAlMgO4 qui ne présente pas de défauts de dislocation; et un monocristal. Ce procédé de croissance de monocristal est un procédé de préparation d'un monocristal de ScAlMgO4 par mise en contact d'un germe cristallin avec une matière première fondue qui se trouve dans un creuset puis relevage du germe cristallin hors de celui-ci tandis que le germe cristallin est mis en rotation pour former un monocristal de ScAlMgO4. Le procédé de préparation d'un monocristal de ScAlMgO4 est caractérisé en ce qu'un germe cristallin qui ne présente pas de dislocations est utilisé en tant que germe cristallin, en ce que le gradient vertical de température autour du germe cristallin est plus grand que le gradient vertical de température par ailleurs, et en ce que le rapport de composition de la matière première fondue est de Sc2O3:Al2O3:MgO = 25,5 % – 28,5 % : 25,0 % – 28,0 % : 42,0 % – 50,0 %.
(JA) 本発明は、転位欠陥の無いScAlMgO4単結晶の育成方法及び単結晶を提供することを目的とする。 本発明の単結晶育成方法は、種結晶をルツボ内の溶融原料に接触させ、該種結晶を回転させながら引き上げることによりScAlMgO4単結晶を作成するScAlMgO4単結晶の作成方法において、前記種結晶として無転位の種結晶を用い、前記種結晶の周辺における垂直方向の温度勾配を、他の部分における垂直方法の温度勾配よりも大きくし、融液とする出発原料の組成比をSc2O3:Al2O3:MgO=25.5~28.5%:25.0~28.0%:42.0~50.0%とすることを特徴とするScAlMgO4単結晶の作成方法。