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1. WO2021020322 - CONDENSATEUR DE TRANCHÉE

Numéro de publication WO/2021/020322
Date de publication 04.02.2021
N° de la demande internationale PCT/JP2020/028613
Date du dépôt international 27.07.2020
CIB
H01L 21/822 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
H01G 4/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
GCONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
H01G 4/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
GCONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
30Condensateurs à empilement
H01G 4/33 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
GCONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
33Condensateurs à film mince ou à film épais
CPC
H01G 4/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
4Fixed capacitors; Processes of their manufacture
H01G 4/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
4Fixed capacitors; Processes of their manufacture
30Stacked capacitors
H01G 4/33
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
4Fixed capacitors; Processes of their manufacture
33Thin- or thick-film capacitors
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
Déposants
  • 太陽誘電株式会社 TAIYO YUDEN CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 増田 秀俊 MASUDA, Hidetoshi
Mandataires
  • 村越 智史 MURAKOSHI Satoshi
Données relatives à la priorité
2019-13967230.07.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) TRENCH CAPACITOR
(FR) CONDENSATEUR DE TRANCHÉE
(JA) トレンチキャパシタ
Abrégé
(EN)
Provided is a trench capacitor which facilitates the supply of a film formation material into a trench, while ensuring the mechanical strength of wall portions defining the trench. The trench capacitor 1 is provided with a base material 10 including wall portions 12 defining a plurality of trenches 11, and a MIM structure 20 provided along the wall portions 12. The wall portions 12 include a plurality of main wall portions 13 extending in a first direction along an upper surface 10a from one end of a trench region R to the other end thereof, and a plurality of sub-wall portions 14 extending in a second direction orthogonal to the first direction and along the upper surface 10a, and connecting main wall portions 13 adjacent to each other. The plurality of main wall portions 13 include a first main wall portion 13A, a second main wall portion 13B, and a third main wall portion 13C. The plurality of sub-wall portions 14 include a plurality of first sub-wall portions 14A connecting the first main wall portion 13A and the second main wall portion 13B, and a plurality of second sub-wall portions 14B connecting the second main wall portion 13B and the third main wall portion 13C. The position of the first sub-wall portions 14A and the position of the second sub-wall portions 14B in the first direction are displaced from each other.
(FR)
L'invention concerne un condensateur de tranchée qui facilite l'approvisionnement d'un matériau de formation de film dans une tranchée, tout en assurant la résistance mécanique des parties de paroi qui délimitent la tranchée. Le condensateur de tranchée (1) est pourvu d'un matériau de base (10) comprenant des parties de paroi (12) qui délimitent une pluralité de tranchées (11), et d'une structure de moulage par injection de poudre (MIP) (20) disposée le long des parties de paroi (12). Les parties de paroi (12) comprennent une pluralité de parties de paroi principale (13) s'étendant dans une première direction le long d'une surface supérieure (10a) à partir d'une extrémité d'une région de tranchée (R) à son autre extrémité, et une pluralité de parties de paroi secondaire (14) s'étendant dans une seconde direction orthogonale à la première direction et le long de la surface supérieure (10a), et reliant des parties de paroi principale (13) adjacentes l'une à l'autre. La pluralité de parties de paroi principale (13) comprennent une première partie de paroi principale (13A), une deuxième partie de paroi principale (13B) et une troisième partie de paroi principale (13C). La pluralité de parties de paroi secondaire (14) comprennent une pluralité de premières parties de paroi secondaire (14A) reliant la première partie de paroi principale (13A) et la deuxième partie de paroi principale (13B), et une pluralité de secondes parties de paroi secondaire (14B) reliant la deuxième partie de paroi principale (13B) et la troisième partie de paroi principale (13C). La position des premières parties de paroi secondaire (14A) et la position des secondes parties de paroi secondaire (14B) dans la première direction sont décalées l'une de l'autre.
(JA)
トレンチを画定する壁部の機械強度を確保しつつ、トレンチ内への成膜材料の供給を容易にすることが可能なトレンチキャパシタを提供する。 【解決手段】トレンチキャパシタ1は、複数のトレンチ11を画定する壁部12を有する基材10と、壁部12に沿って設けられたMIM構造体20と、を備える。壁部12は、上面10aに沿った第1方向において、トレンチ領域Rの一端から他端まで延びる複数の主壁部13と、第1方向と直交し上面10aに沿った第2方向に延びて隣り合う主壁部13同士を接続する複数の副壁部14と、を含み、複数の主壁部13は、第1主壁部13Aと、第2主壁部13Bと、第3主壁部13Cと、を含み、複数の副壁部14は、第1主壁部13A及び第2主壁部13Bを接続する複数の第1副壁部14Aと、第2主壁部13B及び第3主壁部13Cを接続する複数の第2副壁部14Bと、を含み、第1方向における第1副壁部14Aの位置と第2副壁部14Bの位置とは互いにずれている。
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