Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2021001513 - SYSTÈME ET PROCÉDÉ POUR FORMER DU SILICIUM LIQUIDE

Numéro de publication WO/2021/001513
Date de publication 07.01.2021
N° de la demande internationale PCT/EP2020/068743
Date du dépôt international 02.07.2020
CIB
C01B 33/027 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33Silicium; Ses composés
02Silicium
021Préparation
027par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice
C01B 33/029 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33Silicium; Ses composés
02Silicium
021Préparation
027par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice
029par décomposition de monosilane
B01J 19/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
JPROCÉDÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES, p.ex. CATALYSE OU CHIMIE DES COLLOÏDES; APPAREILLAGE APPROPRIÉ
19Procédés chimiques, physiques ou physico-chimiques en général; Appareils appropriés
H05H 1/26 2006.01
HÉLECTRICITÉ
05TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
HTECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24Production du plasma
26Torches à plasma
Déposants
  • SCHMID SILICON TECHNOLOGY GMBH [DE]/[DE]
Inventeurs
  • SCHMID, Christian
  • PETRIK, Georgij
  • HAHN, Jochem
  • FEINÄUGLE, Peter
Mandataires
  • PATENTANWALTSKANZLEI CARTAGENA PARTNERSCHAFTSGESELLSCHAFT KLEMENT, EBERLE MBB
Données relatives à la priorité
10 2019 209 898.304.07.2019DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR BILDUNG VON FLÜSSIGEM SILIZIUM
(EN) DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING LIQUID SILICON
(FR) SYSTÈME ET PROCÉDÉ POUR FORMER DU SILICIUM LIQUIDE
Abrégé
(DE)
Eine Vorrichtung zur Bildung von flüssigem Silizium umfasst eine Einrichtung zur Überführung eines Gases in einen hocherhitzten Zustand, in dem es zumindest teilweise als Plasma vorliegt. Das hocherhitzte Gas wird in einen Reaktionsraum (100) geleitet, wo es mit einem gas- oder partikelförmigen siliziumhaltigen Ausgangsmaterial kontaktiert wird. Das siliziumhaltige Ausgangsmaterial wird über eine Düse (102) mit einem Düsenkanal (103), der unmittelbar in den Reaktionsraum (100) mündet, in denselben eingespeist. Gleichzeitig wird ein Inertgas derart in den Reaktionsraum (100) eingeleitet, dass es die Mündungsöffnung (103a) des Düsenkanals (103) vor einer von dem hocherhitzten Gas ausgehenden thermischen Belastung schützt.
(EN)
The invention relates to a device for forming liquid silicon, comprising a unit for transferring a gas into a high-heat-treated state, in which it is at least partially in the form of plasma. The high-heat-treated gas is directed into a reaction chamber (100), where it is brought into contact with a gaseous or particulate silicon-containing starting material. The silicon-containing starting material is introduced into the reaction chamber (100) via a nozzle (102) with a nozzle channel (103) feeding directly into said reaction chamber (100). At the same time, an inert gas is introduced into the reaction chamber (100) in such a way that it protects the mouth opening (103a) of the nozzle channel (103) from thermal stress coming from the high-heat-treated gas.
(FR)
L'invention concerne un système pour former du silicium liquide, ce système comprenant un dispositif pour faire passer un gaz à un état d'échauffement à haute température dans lequel il se trouve au moins partiellement à l'état de plasma. Le gaz échauffé à haute température est conduit dans une chambre de réaction (100) où il est mis en contact avec une matière de départ gazeuse ou particulaire contenant du silicium. La matière de départ contenant du silicium est introduite dans la chambre de réaction (100) par une buse (102) présentant un canal d'écoulement (103) qui débouche directement dans ladite chambre de réaction (100). Simultanément, un gaz inerte est introduit dans la chambre de réaction (100) de façon à protéger l'embouchure (103a) du canal d'écoulement (103) contre une contrainte thermique provenant du gaz échauffé à haute température.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international