(DE) Eine Vorrichtung zur Bildung von flüssigem Silizium umfasst eine Einrichtung zur Überführung eines Gases in einen hocherhitzten Zustand, in dem es zumindest teilweise als Plasma vorliegt. Das hocherhitzte Gas wird in einen Reaktionsraum (100) geleitet, wo es mit einem gas- oder partikelförmigen siliziumhaltigen Ausgangsmaterial kontaktiert wird. Das siliziumhaltige Ausgangsmaterial wird über eine Düse (102) mit einem Düsenkanal (103), der unmittelbar in den Reaktionsraum (100) mündet, in denselben eingespeist. Gleichzeitig wird ein Inertgas derart in den Reaktionsraum (100) eingeleitet, dass es die Mündungsöffnung (103a) des Düsenkanals (103) vor einer von dem hocherhitzten Gas ausgehenden thermischen Belastung schützt.
(EN) The invention relates to a device for forming liquid silicon, comprising a unit for transferring a gas into a high-heat-treated state, in which it is at least partially in the form of plasma. The high-heat-treated gas is directed into a reaction chamber (100), where it is brought into contact with a gaseous or particulate silicon-containing starting material. The silicon-containing starting material is introduced into the reaction chamber (100) via a nozzle (102) with a nozzle channel (103) feeding directly into said reaction chamber (100). At the same time, an inert gas is introduced into the reaction chamber (100) in such a way that it protects the mouth opening (103a) of the nozzle channel (103) from thermal stress coming from the high-heat-treated gas.
(FR) L'invention concerne un système pour former du silicium liquide, ce système comprenant un dispositif pour faire passer un gaz à un état d'échauffement à haute température dans lequel il se trouve au moins partiellement à l'état de plasma. Le gaz échauffé à haute température est conduit dans une chambre de réaction (100) où il est mis en contact avec une matière de départ gazeuse ou particulaire contenant du silicium. La matière de départ contenant du silicium est introduite dans la chambre de réaction (100) par une buse (102) présentant un canal d'écoulement (103) qui débouche directement dans ladite chambre de réaction (100). Simultanément, un gaz inerte est introduit dans la chambre de réaction (100) de façon à protéger l'embouchure (103a) du canal d'écoulement (103) contre une contrainte thermique provenant du gaz échauffé à haute température.