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1. WO2020247230 - PROCÉDÉ DE MESURE DE BASSE TEMPÉRATURE DE SUBSTRAT SANS CONTACT

Numéro de publication WO/2020/247230
Date de publication 10.12.2020
N° de la demande internationale PCT/US2020/034852
Date du dépôt international 28.05.2020
CIB
H01L 21/67 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
G01J 5/00 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
JMESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
5Pyrométrie des radiations
H01L 21/66 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 21/677 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
677pour le transport, p.ex. entre différents postes de travail
CPC
G01J 2005/0077
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
5Radiation pyrometry
0077Imaging
G01J 5/00
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
5Radiation pyrometry
G01J 5/0007
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
5Radiation pyrometry
0003for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
0007of wafers or semiconductor substrates, e.g. using Rapid Thermal Processing
G01J 5/026
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
5Radiation pyrometry
02Details
026Control of working procedures of a pyrometer, other than calibration
G01J 5/485
H01L 21/67184
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
67184characterized by the presence of more than one transfer chamber
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • VELLORE, Kim Ramkumar
  • TERTITSKI, Leonid M.
  • SCOTNEY-CASTLE, Matthew D.
Mandataires
  • DOUGHERTY, Chad M.
Données relatives à la priorité
62/856,49603.06.2019US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR NON-CONTACT LOW SUBSTRATE TEMPERATURE MEASUREMENT
(FR) PROCÉDÉ DE MESURE DE BASSE TEMPÉRATURE DE SUBSTRAT SANS CONTACT
Abrégé
(EN) A method and apparatus for measuring a temperature of a substrate located in a semiconductor processing environment is disclosed. The substrate has a top surface and an edge surface, and is positioned in a prescribed location within the semiconductor processing environment. An infrared camera oriented to view one side of the edge surface of the substrate is triggered to obtain an infrared image of the one side of the edge surface of the substrate. The infrared image is processed to obtain a temperature profile of the substrate.
(FR) L'invention concerne un procédé et un appareil pour mesurer une température d'un substrat situé dans un environnement de traitement de semi-conducteur. Le substrat a une surface supérieure et une surface de bord, et est positionné dans un emplacement prescrit à l'intérieur de l'environnement de traitement de semi-conducteur. Une caméra infrarouge orientée pour visualiser un côté de la surface de bord du substrat est déclenchée pour obtenir une image infrarouge d'un côté de la surface de bord du substrat. L'image infrarouge est traitée pour obtenir un profil de température du substrat.
Documents de brevet associés
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