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1. WO2020247009 - CELLULE DE MÉMOIRE FLASH CONÇUE POUR DES PERFORMANCES BASSE TENSION ET/OU NON VOLATILES

Numéro de publication WO/2020/247009
Date de publication 10.12.2020
N° de la demande internationale PCT/US2019/052835
Date du dépôt international 25.09.2019
CIB
G11C 16/04 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
16Mémoires mortes programmables effaçables
02programmables électriquement
04utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
H01L 27/115 2017.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
112Structures de mémoires mortes
115Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
CPC
G11C 16/0408
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0408comprising cells containing floating gate transistors
G11C 16/0425
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0408comprising cells containing floating gate transistors
0425comprising cells containing a merged floating gate and select transistor
G11C 16/0433
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
04using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
0408comprising cells containing floating gate transistors
0433comprising cells containing a single floating gate transistor and one or more separate select transistors
G11C 16/08
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
08Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
G11C 16/10
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
10Programming or data input circuits
G11C 16/14
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
10Programming or data input circuits
14Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
Déposants
  • MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED [US]/[US]
Inventeurs
  • DARYANANI, Sonu
  • CHEN, Bomy
  • MARTIN, Matthew
Mandataires
  • SLAYDEN, Bruce W., II
Données relatives à la priorité
16/540,17014.08.2019US
62/858,08806.06.2019US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) FLASH MEMORY CELL ADAPTED FOR LOW VOLTAGE AND/OR NON-VOLATILE PERFORMANCE
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE FLASH CONÇUE POUR DES PERFORMANCES BASSE TENSION ET/OU NON VOLATILES
Abrégé
(EN) A memory cell having a structure of a modified flash memory cell, but configured to operate in a low voltage domain (e.g., using voltages of ?6V amplitude for program and/or erase operations) is provided. The disclosed memory cells may be formed with dielectric layers having reduced thickness(es) as compared with conventional flash memory cells, which allows for such low voltage operation. The disclosed memory cells may be compatible with advanced, high density, low energy data computational applications. The disclosed memory cells may replace or reduce the need for RAM (e.g., SRAM or DRAM) in a conventional device, e.g., microcontroller or computer, and are thus referred to "RAM Flash" memory cells. Data retention of RAM Flash memory cells may be increased (e.g., to days, months, or years) by (a) applying a static holding voltage at selected nodes of the cell, and/or (b) periodically refreshing data stored in RAM Flash.
(FR) L'invention concerne une cellule de mémoire comprenant une structure d'une cellule de mémoire flash modifiée, mais configurée pour fonctionner dans un domaine basse tension (par exemple, à l'aide de tensions de? 6V amplitude pour des opérations de programme et/ou d'effacement). Les cellules de mémoire de l'invention peuvent être formées avec des couches diélectriques présentant une ou des épaisseurs réduites par comparaison avec des cellules de mémoire flash classiques, ce qui permet une telle opération basse tension. Les cellules de mémoire de l'invention peuvent être compatibles avec des applications de calcul de données avancées, à haute densité et à faible énergie. Les cellules de mémoire de l'invention peuvent remplacer ou réduire le besoin de mémoire vive (par exemple, SRAM ou DRAM) dans un dispositif classique, par exemple un microcontrôleur ou un ordinateur, et sont ainsi appelées cellules de mémoire « Flash RAM ». La rétention de données de cellules de mémoire Flash RAM peut être augmentée (par exemple, en jours, mois ou années) par (a) l'application d'une tension de maintien statique aux nœuds sélectionnés de la cellule, et/ou (b) le rafraîchissement périodique de données stockées dans une mémoire Flash RAM.
Documents de brevet associés
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