(EN) A memory cell having a structure of a modified flash memory cell, but configured to operate in a low voltage domain (e.g., using voltages of ?6V amplitude for program and/or erase operations) is provided. The disclosed memory cells may be formed with dielectric layers having reduced thickness(es) as compared with conventional flash memory cells, which allows for such low voltage operation. The disclosed memory cells may be compatible with advanced, high density, low energy data computational applications. The disclosed memory cells may replace or reduce the need for RAM (e.g., SRAM or DRAM) in a conventional device, e.g., microcontroller or computer, and are thus referred to "RAM Flash" memory cells. Data retention of RAM Flash memory cells may be increased (e.g., to days, months, or years) by (a) applying a static holding voltage at selected nodes of the cell, and/or (b) periodically refreshing data stored in RAM Flash.
(FR) L'invention concerne une cellule de mémoire comprenant une structure d'une cellule de mémoire flash modifiée, mais configurée pour fonctionner dans un domaine basse tension (par exemple, à l'aide de tensions de? 6V amplitude pour des opérations de programme et/ou d'effacement). Les cellules de mémoire de l'invention peuvent être formées avec des couches diélectriques présentant une ou des épaisseurs réduites par comparaison avec des cellules de mémoire flash classiques, ce qui permet une telle opération basse tension. Les cellules de mémoire de l'invention peuvent être compatibles avec des applications de calcul de données avancées, à haute densité et à faible énergie. Les cellules de mémoire de l'invention peuvent remplacer ou réduire le besoin de mémoire vive (par exemple, SRAM ou DRAM) dans un dispositif classique, par exemple un microcontrôleur ou un ordinateur, et sont ainsi appelées cellules de mémoire « Flash RAM ». La rétention de données de cellules de mémoire Flash RAM peut être augmentée (par exemple, en jours, mois ou années) par (a) l'application d'une tension de maintien statique aux nœuds sélectionnés de la cellule, et/ou (b) le rafraîchissement périodique de données stockées dans une mémoire Flash RAM.