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1. WO2020245728 - DISPOSITIF DE COMMUNICATION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/245728
Date de publication 10.12.2020
N° de la demande internationale PCT/IB2020/055211
Date du dépôt international 03.06.2020
CIB
H03K 17/16 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
16Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H03K 17/693 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687les dispositifs étant des transistors à effet de champ
693Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d'entrée et de sortie, p.ex. multiplexeurs, distributeurs
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H04B 1/38 2015.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
BTRANSMISSION
1Détails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes H04B3/-H04B13/124; Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
38Émetteurs-récepteurs, c. à d. dispositifs dans lesquels l'émetteur et le récepteur forment un ensemble structural et dans lesquels au moins une partie est utilisée pour des fonctions d'émission et de réception
H04B 1/44 2006.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
BTRANSMISSION
1Détails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes H04B3/-H04B13/124; Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
38Émetteurs-récepteurs, c. à d. dispositifs dans lesquels l'émetteur et le récepteur forment un ensemble structural et dans lesquels au moins une partie est utilisée pour des fonctions d'émission et de réception
40Circuits
44Commutation transmission-réception
Déposants
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 池田隆之 IKEDA, Takayuki
  • 國武寛司 KUNITAKE, Hitoshi
Données relatives à la priorité
2019-10707507.06.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) COMMUNICATION DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE COMMUNICATION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 通信装置および電子機器
Abrégé
(EN)
Provided is a communication device with which it is possible to transmit and receive high potential signals. This communication device has a shared device provided with first to fourth transistors, a transmission terminal, a reception terminal, an antenna terminal and first and second control terminals. The transmission terminal is electrically connected to one of the source or drain of the first and second transistors, the reception terminal is electronically connected to one of the source or the drain of the third and fourth transistors, the antenna terminal is electrically connected to other of the source or drain of the second and fourth transistors, the first control terminal is electrically connected to the gate of the second and the third transistor, and the second control terminal is electrically connected to the gate of the first and fourth transistor. The semiconductors of the first to fourth transistors each include metal oxide.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de communication avec lequel il est possible de transmettre et de recevoir des signaux à potentiel élevé. Ce dispositif de communication comprend un dispositif partagé comportant des premier à quatrième transistors, un terminal de transmission, un terminal de réception, un terminal d'antenne et des premier et deuxième terminaux de commande. Le terminal de transmission est connecté électriquement à l'une de la source ou du drain des premier et deuxième transistors, le terminal de réception est connecté électroniquement à l'une de la source ou du drain des troisième et quatrième transistors, le terminal d'antenne est électriquement connecté à une autre de la source ou du drain des deuxième et quatrième transistors, le premier terminal de commande est connecté électriquement à la grille du deuxième et du troisième transistor, et le deuxième terminal de commande est connecté électriquement à la grille du premier et du quatrième transistor. Les semi-conducteurs des premier à quatrième transistors comprennent chacun un oxyde métallique.
(JA)
高電位の信号を送受信できる通信装置を提供する。 第1乃至第4のトランジスタと、送信端子と、受信端子と、アンテナ端子と、第1および第2の制 御端子と、が設けられた共用器を有する。送信端子は、第1および第2のトランジスタのソースま たはドレインの一方と電気的に接続され、受信端子は、第3および第4のトランジスタのソースま たはドレインの一方と電気的に接続され、アンテナ端子は、第2および第4のトランジスタのソー スまたはドレインの他方と電気的に接続され、第1の制御端子は、第2および第3のトランジスタ のゲートと電気的に接続され、第2の制御端子は、第1および第4のトランジスタのゲートと電気 的に接続される。また、第1乃至第4のトランジスタの半導体は、それぞれ金属酸化物を含む。
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