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1. WO2020245697 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/245697
Date de publication 10.12.2020
N° de la demande internationale PCT/IB2020/054928
Date du dépôt international 25.05.2020
CIB
H01L 27/108 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
108Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
G11C 5/02 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
5Détails de mémoires couverts par le groupe G11C11/71
02Disposition d'éléments d'emmagasinage, p.ex. sous la forme d'une matrice
G11C 7/18 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
7Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
18Organisation de lignes de bits; Disposition de lignes de bits
G11C 11/4097 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21utilisant des éléments électriques
34utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40utilisant des transistors
401formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
4063Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation
407pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
409Circuits de lecture-écriture
4097Organisation de lignes de bits, p.ex. configuration de lignes de bits, lignes de bits repliées
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H01L 21/3205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
Déposants
  • 株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 大貫達也 ONUKI, Tatsuya
  • 松嵜隆徳 MATSUZAKI, Takanori
  • 岡本佑樹 OKAMOTO, Yuki
  • 山崎舜平 YAMAZAKI, Shunpei
Données relatives à la priorité
2019-10751207.06.2019JP
2019-12488504.07.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé
(EN)
The present invention provides a semiconductor device with a novel structure. The semiconductor device has: a silicon substrate that has a first circuit; a first element layer that has a second circuit; and a second element layer that has a third circuit. The first circuit has a first transistor. The second circuit has a second transistor. The third circuit has a memory cell. The memory cell has a third transistor and a capacitor. The first element layer and the second element layer constitute a laminated block that is provided laminated in the perpendicular direction or substantially perpendicular direction to the surface of the silicon substrate. A plurality of the laminated blocks are laminated in the perpendicular direction or substantially perpendicular direction to the surface of the silicon substrate. Each of the plurality of laminated blocks has a first wiring provided in the perpendicular direction or the substantially perpendicular direction relative to the surface of the silicon substrate, said laminated blocks are electrically connected with the wiring interposed therebetween.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comportant une nouvelle structure. Le dispositif à semi-conducteur comprend : un substrat de silicium qui a un premier circuit; une première couche d'élément qui a un deuxième circuit; et une seconde couche d'élément qui a un troisième circuit. Le premier circuit comporte un premier transistor. La deuxième circuit comporte un deuxième transistor. Le troisième circuit comprend une cellule de mémoire. La cellule de mémoire comprend un troisième transistor et un condensateur. La première couche d'élément et la seconde couche d'élément constituent un bloc stratifié qui est disposé stratifié dans la direction perpendiculaire ou sensiblement perpendiculaire à la surface du substrat de silicium. Une pluralité de blocs stratifiés sont stratifiés dans la direction perpendiculaire ou sensiblement perpendiculaire à la surface du substrat de silicium. Chacun de la pluralité de blocs stratifiés a un premier câblage disposé dans la direction perpendiculaire ou la direction sensiblement perpendiculaire par rapport à la surface du substrat de silicium, lesdits blocs stratifiés étant électriquement connectés au câblage interposé entre eux.
(JA)
新規な構成の半導体装置を提供すること。 半導体装置は、 第1回路を有するシリコン基板と、 第2回路を有する第1素子層と、 第3回路を有す る第2素子層と、を有する。第1回路は、第1トランジスタを有する。第2回路は、第2トランジス タを有する。第3回路は、メモリセルを有する。メモリセルは、第3トランジスタと、キャパシタと、 を有する。 第1素子層および第2素子層は、 シリコン基板の表面に対して垂直方向または概略垂直方 向に積層して設けられる積層ブロックを構成する。 積層ブロックは、 シリコン基板の表面に対して垂 直方向または概略垂直方向に積層して複数設けられる。 複数の積層ブロックはそれぞれ、 シリコン基 板の表面に対して垂直方向または概略垂直方向に設けられた第1配線を有し、当該配線を介して電 気的に接続される。
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