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1. WO2020226141 - COMPOSITION DE FORMATION DE FILM DE SOUS COUCHE DE RÉSERVE CONTENANT UN POLYMÈRE À EXTRÉMITÉ DE COMPOSITION ALICYCLIQUE

Numéro de publication WO/2020/226141
Date de publication 12.11.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/018436
Date du dépôt international 01.05.2020
CIB
C08G 59/40 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
08COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
GCOMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
59Polycondensats contenant plusieurs groupes époxyde par molécule; Macromolécules obtenues par réaction de polycondensats polyépoxydés avec des composés monofonctionnels à bas poids moléculaire; Macromolécules obtenues par polymérisation de composés contenant plusieurs groupes époxyde par molécule en utilisant des agents de durcissement ou des catalyseurs qui réagissent avec les groupes époxyde
18Macromolécules obtenues par polymérisation à partir de composés contenant plusieurs groupes époxyde par molécule en utilisant des agents de durcissement ou des catalyseurs qui réagissent avec les groupes époxyde
40caractérisées par les agents de durcissement utilisés
G03F 7/11 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
09caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
11avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
H01L 21/027 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 若山 浩之 WAKAYAMA Hiroyuki
  • 水落 龍太 MIZUOCHI Ryuta
  • 清水 祥 SHIMIZU Shou
  • 染谷 安信 SOMEYA Yasunobu
Mandataires
  • 特許業務法人 津国 TSUKUNI & ASSOCIATES
  • 山村 大介 YAMAMURA Daisuke
Données relatives à la priorité
2019-08834508.05.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) RESIST UNDERLAYER FILM FORMING COMPOSITION CONTAINING ALICYCLIC COMPOUND-TERMINATED POLYMER
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM DE SOUS COUCHE DE RÉSERVE CONTENANT UN POLYMÈRE À EXTRÉMITÉ DE COMPOSITION ALICYCLIQUE
(JA) 脂環式化合物末端の重合体を含むレジスト下層膜形成組成物
Abrégé
(EN)
The present invention provides: a composition for forming a resist underlayer film that enables the formation of a desired resist pattern; and a method for producing a resist pattern and a method for producing a semiconductor device, each of which uses the above-described resist underlayer film forming composition. A resist underlayer film forming composition which contains a polymer having, at an end, an aliphatic ring that may be substituted by a substituent, while having a carbon-carbon bond that may be interrupted by a heteroatom, and which additionally contains an organic solvent. The aliphatic ring is a monocyclic or polycyclic aliphatic ring having 3-10 carbon atoms. The polycyclic aliphatic ring is a bicyclo ring or a tricyclo ring.
(FR)
L'invention fournit une composition destinée à la formation d'un film de sous couche de réserve permettant de former le motif de réserve souhaité, un procédé de fabrication de motif de réserve mettant en œuvre cette composition de formation de film de sous couche de réserve, et un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteurs. Plus précisément, l'invention concerne une composition de formation de film de sous couche de réserve qui contient, au niveau d'une extrémité d'un polymère, un cycle aliphatique tel qu'une liaison carbone-carbone peut être interrompue par un hétéroatome, et éventuellement substitué par un substituant, et qui contient en outre un solvant organique. Ledit cycle aliphatique consiste en un cycle aliphatique monocyclique ou polycyclique de 3 à 18 atomes de carbone. Ledit cycle aliphatique polycyclique consiste en un cycle bicyclo ou tricyclo.
(JA)
所望のレジストパターンを形成できるレジスト下層膜を形成するための組成物、及び該レジスト下層膜形成組成物を用いたレジストパターン製造方法、半導体装置の製造方法を提供する。ポリマーの末端に、炭素-炭素結合がヘテロ原子で中断されていてもよく且つ置換基で置換されていてもよい脂肪族環を含み、さらに有機溶媒を含む、レジスト下層膜形成組成物である。前記脂肪族環が、炭素原子数3~10の単環式又は多環式脂肪族環である。前記多環式脂肪族環が、ビシクロ環又はトリシクロ環である。
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