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1. WO2020222343 - DISPOSITIF D'AFFICHAGE UTILISANT UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/222343
Date de publication 05.11.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2019/005385
Date du dépôt international 07.05.2019
CIB
H01L 33/20 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/48 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/10 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
10ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
Déposants
  • 엘지전자 주식회사 LG ELECTRONICS INC. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 박상대 PARK, Sangdae
  • 박성진 PARK, Sungjin
  • 엄재광 UM, Jaegwang
  • 여환국 YUH, Hwankuk
Mandataires
  • 박장원 PARK, Jang-Won
Données relatives à la priorité
10-2019-005096330.04.2019KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE UTILISANT UNE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À SEMI-CONDUCTEUR
(KO) 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
Abrégé
(EN)
A display device using a semiconductor light emitting diode having a size of several to several tens of μm according to an embodiment of the present invention comprises: a substrate; a semiconductor light emitting diode disposed on the substrate; a planarization layer stacked on the substrate while forming a hole which is an area in which the semiconductor light emitting diode is disposed; a light transmitting layer filled in the hole; and a reflective layer formed along the substrate forming at least the inner surface of the hole and along one surface of the planarization layer, wherein the hole may be formed to expand in width with distance from the substrate.
(FR)
Un dispositif d'affichage utilisant une diode électroluminescente à semi-conducteur ayant une taille de plusieurs à plusieurs dizaines de µm selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un substrat ; une diode électroluminescente à semi-conducteur disposée sur le substrat ; une couche de planarisation empilée sur le substrat tout en formant un trou qui est une zone dans laquelle la diode électroluminescente à semi-conducteur est disposée ; une couche de transmission de lumière remplissant le trou ; et une couche réfléchissante formée le long du substrat formant au moins la surface interne du trou et le long d'une surface de la couche de planarisation, le trou pouvant être formé pour s'étendre en largeur à une distance du substrat.
(KO)
본 발명의 실시예에 따른 수 내지 수십 ㎛ 크기의 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치는 기판, 상기 기판에 배치되는 반도체 발광소자, 상기 반도체 발광소자가 배치되는 영역인 홀을 형성하면서 상기 기판에 적층되는 평탄화층, 상기 홀에 충진되는 광투과층 및 적어도 상기 홀의 내측면을 이루는 상기 기판과 상기 평탄화층의 일면을 따라 형성된 반사층을 포함하고, 상기 홀은 상기 기판으로부터 멀어질수록 폭이 확장되도록 형성될 수 있다.
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