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1. WO2020199567 - APPAREIL DE GRAVURE DE PRÉCISION POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF EN MODE D'AMÉLIORATION DE GRILLE EN CREUX, ET PROCÉDÉ DE GRAVURE POUR CELUI-CI

Numéro de publication WO/2020/199567
Date de publication 08.10.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/113503
Date du dépôt international 27.10.2019
CIB
H01L 21/67 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Déposants
  • 华南理工大学 SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 李国强 LI, Guoqiang
  • 孙佩椰 SUN, Peiye
  • 刘智崑 LIU, Zhikun
  • 万利军 WAN, Lijun
  • 陈丁波 CHEN, Dingbo
  • 阙显沣 QUE, Xianfeng
  • 姚书南 YAO, Shunan
  • 李润泽 LI, Runze
Mandataires
  • 广州粤高专利商标代理有限公司 YOGO PATENT & TRADEMARK AGENCY LIMITED COMPANY
Données relatives à la priorité
201910252334.029.03.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) PRECISION ETCHING APPARATUS FOR FABRICATING RECESSED-GATE ENHANCEMENT-MODE DEVICE, AND ETCHING METHOD FOR SAME
(FR) APPAREIL DE GRAVURE DE PRÉCISION POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF EN MODE D'AMÉLIORATION DE GRILLE EN CREUX, ET PROCÉDÉ DE GRAVURE POUR CELUI-CI
(ZH) 用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置及其刻蚀方法
Abrégé
(EN)
Disclosed are a precision etching apparatus for fabricating a recessed-gate enhancement-mode device and an etching method for the same. The apparatus provided by the present invention comprises an inductively-coupled plasma etching chamber, a current detection apparatus, an inductive coil, a radio frequency source, a mechanical pump, and a molecular pump. The current detection apparatus is connected to the inductively-coupled plasma etching chamber. The inductive coil is connected to the inductively-coupled plasma etching chamber. The radio frequency source is connected to the inductive coil. The mechanical pump and the molecular pump are connected to the inductively-coupled plasma etching chamber. When a displayed current value is zero during an HEMT device fabrication process, the apparatus shuts off a two-dimensional electron gas channel, and etching is terminated, thereby preventing gate leakage caused by over-etching or damage to the two-dimensional electron gas channel, and achieving precision etching. The present invention achieves prevision etching merely by adding and connecting one current detection apparatus without any additional operation steps, is easy to operate, and improves a product yield rate of enhancement-mode HEMT devices, thereby providing high practical value.
(FR)
L'invention concerne un appareil de gravure de précision pour fabriquer un dispositif en mode d'amélioration de grille en creux et un procédé de gravure pour celui-ci. L'appareil selon la présente invention comprend une chambre de gravure au plasma à couplage inductif, un appareil de détection de courant, une bobine inductive, une source de radiofréquence, une pompe mécanique et une pompe moléculaire. L'appareil de détection de courant est connecté à la chambre de gravure au plasma à couplage inductif. La bobine inductive est connectée à la chambre de gravure au plasma à couplage inductif. La source de radiofréquence est connectée à la bobine inductive. La pompe mécanique et la pompe moléculaire sont reliées à la chambre de gravure au plasma à couplage inductif. Lorsqu'une valeur de courant affichée est nulle pendant un processus de fabrication de dispositif HEMT, l'appareil coupe un canal de gaz d'électrons bidimensionnel, et la gravure est terminée, ce qui permet d'empêcher une fuite de grille provoquée par une surgravure ou un endommagement du canal de gaz d'électrons bidimensionnel, et d'obtenir une gravure de précision. La présente invention réalise une gravure de prévision simplement en ajoutant et en connectant un appareil de détection de courant sans étapes de fonctionnement supplémentaires, est facile à utiliser, et améliore un taux de rendement de produit de dispositifs HEMT en mode d'amélioration, fournissant ainsi une valeur pratique élevée.
(ZH)
本发明公开了用于制备凹槽栅增强型器件的精准刻蚀装置及其刻蚀方法。本发明提供的装置包括电感耦合等离子体刻蚀腔、电流检测装置、电感线圈、射频源、机械泵及分子泵;电流检测装置与电感耦合等离子体刻蚀腔连接;电感线圈与电感耦合等离子体刻蚀腔连接;射频源与电感线圈连接;机械泵和分子泵与电感耦合等离子体刻蚀腔连接。该装置在制备HEMT器件的过程中,当显示电流为零时,二维电子气沟道被关断,达到刻蚀终点,避免过度刻蚀造成栅极漏电及损伤二维电子气沟道,实现精准刻蚀。本发明仅额外接一个电流检测装置,无需增添额外的操作步骤,即可实现精确刻蚀,操作简便,有利于提高增强型HEMT器件产品良率,具有很高的实用价值。
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