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1. WO2020197643 - BOÎTIER DE CIRCUIT INTÉGRÉ AVEC RÉGULATEUR DE TENSION INTÉGRÉ

Numéro de publication WO/2020/197643
Date de publication 01.10.2020
N° de la demande internationale PCT/US2020/016773
Date du dépôt international 05.02.2020
CIB
H01L 23/50 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
50pour des dispositifs à circuit intégré
H01L 23/538 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
538la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 23/525 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
525avec des interconnexions modifiables
H01L 23/528 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
528Configuration de la structure d'interconnexion
H01L 25/065 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H01L 23/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31caractérisées par leur disposition
CPC
H01L 21/566
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
565Moulds
566Release layers for moulds, e.g. release layers, layers against residue during moulding
H01L 2224/0231
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
0231Manufacturing methods of the redistribution layers
H01L 2224/02373
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
0237Disposition of the redistribution layers
02373Layout of the redistribution layers
H01L 2224/02379
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
0237Disposition of the redistribution layers
02379Fan-out arrangement
H01L 2224/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
0237Disposition of the redistribution layers
02381Side view
H01L 2224/0401
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
0401Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
Déposants
  • ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • BHAGAVAT, Milind, S.
  • AGARWAL, Rahul
  • CHENG, Chia-hao
Mandataires
  • KENNEDY, Brandon
Données relatives à la priorité
16/367,73128.03.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE WITH INTEGRATED VOLTAGE REGULATOR
(FR) BOÎTIER DE CIRCUIT INTÉGRÉ AVEC RÉGULATEUR DE TENSION INTÉGRÉ
Abrégé
(EN)
Various semiconductor chip devices and methods of making the same are disclosed. In one aspect, an apparatus is provided that includes a first redistribution layer (RDL) structure (172) having a first plurality of conductor traces (l65d, l65e), a first molding layer (120) on the first RDL structure, plural conductive pillars (205a, 205b) in the first molding layer, each of the conductive pillars including a first end and a second end, a second RDL structure (115) on the first molding layer, the second RDL structure having a second plurality of conductor traces (l65a, 165b), and wherein some of the conductive pillars (205b, 205c) are electrically connected between some of the first plurality of conductor traces and some of the second plurality of conductor traces to provide a first inductor coil.
(FR)
La présente invention concerne divers dispositifs à puce à semi-conducteur et leurs procédés de fabrication. Selon un aspect, l'invention concerne un appareil qui comprend une première structure (172) de couche de redistribution (RDL) ayant une première pluralité de traces conductrices (l65d, l65e), une première couche de moulage (120) sur la première structure RDL, plusieurs piliers conducteurs (205a, 205b) dans la première couche de moulage, chacun des piliers conducteurs comprenant une première extrémité et une seconde extrémité, une seconde structure RDL (115) sur la première couche de moulage, la seconde structure RDL ayant une seconde pluralité de traces conductrices (l65a, 165b), et certains des piliers conducteurs (205b, 205c) sont électriquement connectés entre une partie de la première pluralité de traces conductrices et une partie de la seconde pluralité de traces conductrices pour fournir une première bobine d'induction.
Également publié en tant que
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