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1. WO2020197056 - COMPOSITION DE GRAVURE D'UN STRATIFIÉ DE FILM DE NITRURE DE TITANE ET DE FILM DE TUNGSTÈNE, ET PROCÉDÉ DE GRAVURE DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT

Numéro de publication WO/2020/197056
Date de publication 01.10.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2019/018730
Date du dépôt international 30.12.2019
CIB
C09K 13/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
13Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage
04contenant un acide inorganique
06avec une substance organique
H01L 21/3213 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321Post-traitement
3213Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H01L 21/324 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
Déposants
  • 에스케이머티리얼즈 주식회사 SK-MATERIALS CO., LTD [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 변지훈 BYUN, Ji Hun
Mandataires
  • 특허법인 공간 GHONG-GAN INTERNATIONAL PATENT LAW FIRM
Données relatives à la priorité
10-2019-003367125.03.2019KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) COMPOSITION FOR ETCHING LAMINATE OF TITANIUM NITRIDE FILM AND TUNGSTEN FILM, AND METHOD FOR ETCHING SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING SAME
(FR) COMPOSITION DE GRAVURE D'UN STRATIFIÉ DE FILM DE NITRURE DE TITANE ET DE FILM DE TUNGSTÈNE, ET PROCÉDÉ DE GRAVURE DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT
(KO) 질화티타늄막 및 텅스텐막 적층체 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 식각방법
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a composition for etching, comprising phosphoric acid, hydrogen peroxide, and water and, more specifically, to a composition for etching a laminate of a titanium nitride film and a tungsten film, the composition additionally comprising at least one of an ammonium compound and a chelating agent so as to have excellent stability for long-term storage, while maintaining an etch selectivity of 1 by having the same etch rate when etching the tungsten film against the titanium nitride film.
(FR)
La présente invention porte sur une composition de gravure comprenant de l'acide phosphorique, du peroxyde d'hydrogène et de l'eau, et concerne plus particulièrement une composition de gravure d'un stratifié d'un film de nitrure de titane et d'un film de tungstène. La composition comprend en outre au moins un élément parmi un composé d'ammonium et un agent chélatant de façon à présenter une excellente stabilité pour un stockage à long terme, tout en maintenant une sélectivité de gravure de 1 en offrant la même vitesse de gravure lors de la gravure du film de tungstène et du film de nitrure de titane.
(KO)
본 발명은 인산, 과산화수소, 물을 포함하는 식각용 조성물에 있어서, 암모늄화합물 및 킬레이트제 중 적어도 하나 이상을 추가적으로 포함하여 질화티타늄막에 대한 텅스텐막의 식각공정시, 식각속도가 동일하여 식각선택비 1을 유지하면서 장기간 보관시에도 안정성이 우수한 질화티타늄막 및 텅스텐막 적층체 식각용 조성물에 관한 것이다.
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