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1. WO2020196494 - DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT AU NITRURE DU GROUPE III

Numéro de publication WO/2020/196494
Date de publication 01.10.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/012954
Date du dépôt international 24.03.2020
CIB
C30B 29/38 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
38Nitrures
C23C 16/455 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
455caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C30B 25/20 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
18caractérisée par le substrat
20le substrat étant dans le même matériau que la couche épitaxiale
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
Déposants
  • 信越化学工業株式会社 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 久保田 芳宏 KUBOTA, Yoshihiro
  • 永田 和寿 NAGATA, Kazutoshi
Mandataires
  • 田口 昌浩 TAGUCHI, Masahiro
  • 虎山 滋郎 TORAYAMA, Jiro
  • 伊藤 高志 ITO, Takashi
  • 鈴木 康義 SUZUKI, Yasuyoshi
Données relatives à la priorité
2019-06335128.03.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT AU NITRURE DU GROUPE III
(JA) III族窒化物基板の製造装置及び製造方法
Abrégé
(EN)
This device for manufacturing a group III nitride substrate is provided with: a rotating susceptor (3) for retaining and rotating a seed crystal (2) in a reaction container (1); a heating means (9) for heating the seed crystal (2); a revolving susceptor (4) for arranging and storing, and rotating, the rotating susceptor (2); a first gas jetting port (6) for jetting a chloride gas of a group III element at a predetermined inclination angle with respect to the axial direction of the rotational axis of the revolving susceptor (4), a second gas jetting port (7) for jetting a nitrogen-containing gas, and a third gas jetting port (8) for jetting an inert gas from between the first gas jetting port (6) and the second gas jetting port (7); and an exhaust means (5) for discharging gas. This method for manufacturing a group III nitride substrate can be performed using the manufacturing device of the present invention. Through the present invention, it is possible to provide a manufacturing device and method whereby a uniform, satisfactory group III nitride crystal substrate can be obtained.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de fabrication d'un substrat au nitrure du groupe III qui est doté de : un suscepteur rotatif (3) pour retenir et faire tourner un germe cristallin (2) dans un récipient de réaction (1) ; un moyen de chauffage (9) pour chauffer le germe cristallin (2) ; un suscepteur tournant (4) pour disposer et ranger, et faire tourner, le suscepteur rotatif (2) ; un premier orifice d'éjection de gaz (6) pour éjecter du chlorure gazeux d'un élément du groupe III selon un angle d'inclinaison prédéfini par rapport à la direction axiale de l'axe de rotation du suscepteur tournant (4), un deuxième orifice d'éjection de gaz (7) pour éjecter un gaz contenant de l'azote, et un troisième orifice d'éjection de gaz (8) pour éjecter un gaz inerte entre le premier orifice d'éjection de gaz (6) et le deuxième orifice d'éjection de gaz (7) ; et un moyen d'évacuation (5) pour évacuer le gaz. Ce procédé de fabrication d'un substrat au nitrure du groupe III peut être réalisé à l'aide du dispositif de fabrication de la présente invention. Grâce à la présente invention, il est possible de fournir un dispositif et un procédé de fabrication, moyennant quoi un substrat cristallin au nitrure du groupe III uniforme et satisfaisant peut être obtenu.
(JA)
本発明のIII族窒化物基板の製造装置は反応容器(1)内で種結晶(2)を保持して回転する自転サセプター(3)と種結晶(2)を加熱する加熱手段(9)と自転サセプター(2)を配置収納して回転する公転サセプター(4)と公転サセプター(4)の回転軸の軸方向に対して所定の斜度でIII族元素の塩化物ガスを噴出する第一のガス噴出ポート(6)、窒素含有ガスを噴出する第二のガス噴出ポート(7)及び第一のガス噴出ポート(6)と第二のガス噴出ポート(7)との間から不活性ガスを噴出する第三のガス噴出ポート(8)とガスを排出する排気手段(5)とを備える。本発明のIII族窒化物基板の製造方法は本発明の製造装置を用いて行うことができる。本発明によれば、均一で良好なIII族窒化物結晶基板を得ることができる製造装置及び製造方法を提供できる。
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