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1. WO2020196132 - STRUCTURE JOINTE

Numéro de publication WO/2020/196132
Date de publication 01.10.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/011883
Date du dépôt international 18.03.2020
CIB
H01L 23/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
12Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles
H01L 23/36 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H01L 23/373 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
373Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
H01L 33/62 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 21/60 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
Déposants
  • 三菱マテリアル株式会社 MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 石川 史朗 ISHIKAWA Fumiaki
  • 山口 朋彦 YAMAGUCHI Tomohiko
  • 増山 弘太郎 MASUYAMA Kotaro
  • 岩田 広太郎 IWATA Koutarou
Mandataires
  • 松沼 泰史 MATSUNUMA Yasushi
  • 寺本 光生 TERAMOTO Mitsuo
  • 細川 文広 HOSOKAWA Fumihiro
  • 大浪 一徳 ONAMI Kazunori
Données relatives à la priorité
2019-05536622.03.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) JOINED STRUCTURE
(FR) STRUCTURE JOINTE
(JA) 接合構造体
Abrégé
(EN)
A joined structure of the present invention is a joined structure in which a substrate having a circuit pattern and a member to be joined having an electrode terminal are joined via a conductive joining material, and is characterized by satisfying the following formula (1): SQRT(X)/SQRT(Y) ≥ 2.9209 × λ-0.141 where X represents a contact area between the circuit pattern and the conductive joining material, Y represents a contact area between the electrode terminal and the conductive joining material, and λ represents heat conductivity of the conductive joining material.
(FR)
La présente invention concerne une structure jointe qui est une structure jointe dans laquelle un substrat ayant un motif de circuit et un élément à joindre ayant une borne d'électrode sont joints par l'intermédiaire d'un matériau de jonction conducteur, et est caractérisé en ce qu'il satisfait à la formule suivante (1) : SQRT(X)/SQRT(Y) ≥ 2,9209 × λ-0.141 où X représente une zone de contact entre le motif de circuit et le matériau de jonction conducteur, Y représente une zone de contact entre la borne d'électrode et le matériau de jonction conducteur, et λ représente la conductivité thermique du matériau de jonction conducteur.
(JA)
本発明の接合構造体は、回路パターンを有する基板と、電極端子を備えた被接合部材とが導電性接合材を介して接合した接合構造体であって、前記回路パターンと前記導電性接合材との接触面積をXとし、前記電極端子と前記導電性接合材との接触面積をYとし、前記導電性接合材の熱伝導度をλとしたときに下記の式(1)を満足することを特徴とする。 SQRT(X)/SQRT(Y)≧2.9209×λ-0.141 (1)
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