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1. WO2020195820 - DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2020/195820
Date de publication 01.10.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/010503
Date du dépôt international 11.03.2020
CIB
H01L 21/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
C23C 16/455 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
455caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 村上 誠志 MURAKAMI, Seishi
  • 釜石 貴之 KAMAISHI, Takayuki
Mandataires
  • 金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo
  • 萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi
  • 扇田 尚紀 OGITA, Naoki
  • 三根 卓也 MINE, Takuya
Données relatives à la priorité
2019-05638825.03.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE-PROCESSING DEVICE AND PRODUCTION METHOD FOR SUBSTRATE-PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置及び基板処理装置の製造方法
Abrégé
(EN)
This substrate-processing device is for performing a predetermined process on a substrate in a vacuum atmosphere and is provided with: a processing container that houses the substrate and is configured to be able to have a reduced pressure; and a gas introduction mechanism that introduces a processing gas to be used in the predetermined process from a supply source of the processing gas into the processing container. The processing container and/or the gas introduction mechanism is heated to 60°C or higher during the predetermined process. The gas introduction mechanism has a plurality of functional parts having different functions and has formed therein a connection pipe path that connects a connection opening to which one end of a supply pipe having the other end connected to the supply source is connected, to an introduction pipe path that is formed at the lid of the processing container and that passes the processing gas from the outside into the inside of the processing container. The plurality of functional parts each have a flow path and are arranged in a flow direction of the processing gas so that the flow paths thereof are connected with each other to form the connection pipe path. An integrated object is formed by at least a portion of the pairs of functional parts adjacent to each other in the flow direction of the processing gas, and/or an integrated object is formed by the lid of the processing container and the functional part adjacent to the lid in the flow direction of the processing gas.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de traitement de substrat qui est destiné à réaliser un processus prédéterminé sur un substrat dans une atmosphère sous vide et comprenant : un contenant de traitement qui loge le substrat et est configuré pour pouvoir avoir une pression réduite ; et un mécanisme d'introduction de gaz qui introduit un gaz de traitement à utiliser dans le processus prédéterminé depuis une source d'alimentation du gaz de traitement dans le récipient de traitement. Le contenant de traitement et/ou le mécanisme d'introduction de gaz sont chauffés à 60 °C ou plus pendant le processus prédéterminé. Le mécanisme d'introduction de gaz a une pluralité de parties fonctionnelles ayant différentes fonctions et comporte un tuyau de raccordement qui relie une ouverture de raccordement, à laquelle est reliée une extrémité d'un tuyau d'alimentation dont l'autre extrémité est raccordée à la source d'alimentation, à un chemin de tuyau d'introduction qui est formé au niveau du couvercle du contenant de traitement et qui fait passer le gaz de traitement de l'extérieur à l'intérieur du contenant de traitement. La pluralité de parties fonctionnelles ont chacune un trajet d'écoulement et sont agencées dans une direction d'écoulement du gaz de traitement de telle sorte que leurs trajets d'écoulement sont reliés l'un à l'autre pour former le trajet de tuyau de connexion. Un objet intégré est formé par au moins une partie des paires de parties fonctionnelles adjacentes l'une à l'autre dans la direction d'écoulement du gaz de traitement, et/ou un objet intégré est formé par le couvercle du récipient de traitement et la partie fonctionnelle adjacente au couvercle dans la direction d'écoulement du gaz de traitement.
(JA)
真空雰囲気下で基板に対し所定の処理を行う基板処理装置であって、減圧可能に構成され、前記基板を収容する処理容器と、前記所定の処理に用いられる処理ガスの供給源からの前記処理ガスを前記処理容器へ導くガス導入機構と、を備え、前記処理容器及び前記ガス導入機構の少なくともいずれか一方は、前記所定の処理時に60℃以上に加熱され、前記ガス導入機構は、前記供給源に一端が接続された供給管の他端が接続される接続口と、前記処理容器の蓋に形成され前記処理容器の外部から内部へ前記処理ガスを通す導入管路とを接続する接続管路が形成され、互いに異なる機能を有する複数の機能部を備え、前記複数の機能部は、それぞれ流路を有し、それぞれが有する前記流路が互いに連通し前記接続管路が形成されるように、前記処理ガスの流れ方向に沿って配列され、前記処理ガスの流れ方向に隣接する前記機能部の組の少なくとも一部が一体物であること、及び、前記処理容器の蓋と当該蓋と前記処理ガスの流れ方向に隣接する前記機能部とが一体物であること、の少なくともいずれか一方を満たす。
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