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1. WO2020195694 - CIRCUIT AMPLIFICATEUR

Numéro de publication WO/2020/195694
Date de publication 01.10.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/009594
Date du dépôt international 06.03.2020
CIB
H03F 1/42 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
1Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
42Modifications des amplificateurs pour augmenter la bande passante
H01L 21/8238 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8238Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
H01L 27/092 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085comprenant uniquement des composants à effet de champ
088les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
092Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
H03F 1/34 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
1Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
34Circuits à contre-réaction avec ou sans réaction
H03K 19/0948 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
19Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
02utilisant des éléments spécifiés
08utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
094utilisant des transistors à effet de champ
0944utilisant des transistors MOSFET
0948utilisant des dispositifs CMOS
Déposants
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
  • 国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSITY [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 木村 知玄 KIMURA, Tomoharu
  • 陶山 武史 SUYAMA, Takeshi
  • 芝藤 弥生 SHIBAFUJI, Yayoi
  • 関谷 毅 SEKITANI, Tsuyoshi
  • 植村 隆文 UEMURA, Takafumi
Mandataires
  • 振角 正一 FURIKADO, Shoichi
  • 大西 一正 OHNISHI, Kazumasa
Données relatives à la priorité
2019-06224228.03.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) AMPLIFIER CIRCUIT
(FR) CIRCUIT AMPLIFICATEUR
(JA) 増幅回路
Abrégé
(EN)
The present invention provides an amplifier circuit 10 for amplifying a signal inputted into an input terminal Vi and outputting the amplified signal from an output terminal Vo, the amplifier circuit 10 being provided with: an inverter circuit 100 for outputting an output signal, obtained by inverting an input signal inputted into an input part Vi', from an output part Vo' to the output terminal; an input capacitor C connected between the input terminal and the input part of the inverter circuit; and a feedback element 111 connected between the input part and the output part. In the inverter circuit, a plurality of transistors 101-104 of the same conductive type constitute a pseudo CMOS inverter. The feedback element is connected to the inverter circuit so that the gate and drain of a transistor 111 of the same conductive type as the transistor 101, etc., are connected, and a forward current in a channel flows from the output part to the input part. It is made possible to obtain both excellent frequency characteristics and a short startup time without complicating the manufacturing process.
(FR)
La présente invention concerne un circuit amplificateur 10 pour amplifier un signal entré dans une borne d'entrée Vi et pour délivrer en sortie le signal amplifié à partir d'une borne de sortie Vo, le circuit amplificateur 10 étant pourvu : d'un circuit d'onduleur 100 pour délivrer en sortie un signal de sortie, obtenu par inversion d'un signal d'entrée entré dans une partie d'entrée Vi', à partir d'une partie de sortie Vo' vers le terminal de sortie ; un condensateur d'entrée C connecté entre la borne d'entrée et la partie d'entrée du circuit onduleur ; et un élément de rétroaction 111 connecté entre la partie d'entrée et la partie de sortie Dans le circuit onduleur, une pluralité de transistors 101-104 du même type conducteur constituent un onduleur pseudo CMOS. L'élément de rétroaction est connecté au circuit onduleur de telle sorte que la grille et le drain d'un transistor 111 du même type conducteur que le transistor 101, etc. sont connectés, et un courant vers l'avant dans un canal s'écoule de la partie de sortie à la partie d'entrée. Il est rendu possible d'obtenir à la fois d'excellentes caractéristiques de fréquence et un temps de démarrage court sans compliquer le processus de fabrication.
(JA)
入力端子Viに入力される信号を増幅して出力端子Voから出力する増幅回路10は、入力部Vi'に入力される入力信号を反転させた出力信号を出力部Vo'から出力端子へ出力するインバータ回路100と、入力端子とインバータ回路の入力部との間に接続された入力キャパシタCと、入力部と出力部との間に接続された帰還素子111とを備える。インバータ回路では、伝導型が互いに同じである複数のトランジスタ101~104が擬CMOSインバータを構成する。帰還素子は、トランジスタ101等と伝導型が同じであるトランジスタ111のゲート・ドレインが接続され、チャネルにおける順方向電流が出力部から入力部へ向けて流れるようにインバータ回路に接続される。製造プロセスを複雑にすることなく、優れた周波数特性と短い起動時間とを両立させることができる。
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