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1. WO2020194806 - DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/194806
Date de publication 01.10.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/039554
Date du dépôt international 07.10.2019
CIB
H01S 5/22 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
20Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
22ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/042 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
04Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
042Excitation électrique
H01S 5/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
20Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
Déposants
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 川口 真生 KAWAGUCHI, Masao
Mandataires
  • 芝野 正雅 SHIBANO, Masanori
  • 大橋 誠 OHASHI, Makoto
Données relatives à la priorité
2019-05563122.03.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光装置
Abrégé
(EN)
A semiconductor light-emitting device (100) includes a semiconductor light-emitting element (1) and a sub-mount for installing the semiconductor light-emitting element (1). The semiconductor light-emitting element (1) is provided with an optical guide layer (30), and a tapering waveguide (82) for propagating light produced in the optical guide layer (30). The tapering waveguide (82) has an equivalent refractive index which, in a predetermined range from an end face (1a) of the tapering waveguide (82), is higher at the center in the width direction of the tapering waveguide (82) than in the outside in the width direction of the tapering waveguide (82).
(FR)
Un dispositif électroluminescent à semi-conducteur (100) comprend un élément électroluminescent à semi-conducteur (1) et une sous-monture pour installer l'élément électroluminescent à semi-conducteur (1). L'élément électroluminescent à semi-conducteur (1) est pourvu d'une couche de guidage optique (30), et d'un guide d'ondes conique (82) pour propager la lumière produite dans la couche de guidage optique (30). Le guide d'ondes conique (82) a un indice de réfraction équivalent qui, dans une plage prédéterminée à partir d'une face d'extrémité (1a) du guide d'ondes conique (82), est supérieur au centre dans le sens de la largeur du guide d'ondes conique (82) qu'à l'extérieur dans le sens de la largeur du guide d'ondes conique (82).
(JA)
半導体発光装置(100)は、半導体発光素子(1)と、半導体発光素子(1)を設置するためのサブマウントなどにより構成される。半導体発光素子(1)は、光ガイド層(30)と、光ガイド層(30)で生じた光を伝搬させるテーパ導波路(82)と、を備える。テーパ導波路(82)の等価屈折率は、テーパ導波路(82)の端面(1a)から所定の範囲において、テーパ導波路(82)の幅方向の中央が、テーパ導波路(82)の幅方向の外側よりも高くなっている。
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