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1. WO2020194802 - SUBSTRAT DE TERRE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/2020/194802
Date de publication 01.10.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/038594
Date du dépôt international 30.09.2019
CIB
C30B 29/16 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
16Oxydes
H01L 21/365 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
36Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
365en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
Déposants
  • 日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 渡邊 守道 WATANABE Morimichi
  • 吉川 潤 YOSHIKAWA Jun
Mandataires
  • 高村 雅晴 TAKAMURA Masaharu
  • 加島 広基 KASHIMA Hiromoto
  • 長谷川 悠 HASEGAWA Yu
Données relatives à la priorité
2019-06360128.03.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) GROUND SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT DE TERRE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 下地基板及びその製造方法
Abrégé
(EN)
Provided is a high-quality ground substrate comprising an orientation layer that is used for growing a crystal of a nitride or oxide of a group 13 element. The number of crystal defects (dislocations) in the orientation layer is significantly reduced. This ground substrate comprises an orientation layer that is used for growing a crystal of a nitride or oxide of a group 13 element. The orientation layer surface that is used for crystal growth is constituted from a material having a corundum type crystal structure and having a larger a-axis length and/or c-axis length than sapphire. The orientation layer contains a solid solution containing two or more compounds selected from the group consisting of α-Al2O3, α-Cr2O3, α-Fe2O3, α-Ti2O3, α-V2O3 and α-Rh2O3.
(FR)
L'invention porte sur un substrat de terre de haute qualité comprenant une couche d'orientation qui est utilisée pour faire croître un cristal d'un nitrure ou d'un oxyde d'un élément du groupe 13. Le nombre de défauts cristallins (dislocations) dans la couche d'orientation est considérablement réduit. Ce substrat de terre comprend une couche d'orientation qui est utilisée pour faire croître un cristal d'un nitrure ou d'un oxyde d'un élément du groupe 13. La surface de la couche d'orientation qui est utilisée pour la croissance du cristal est constituée d'un matériau comprenant une structure cristalline de type corindon et ayant une longueur d'axe a et/ou une longueur d'axe c plus importante que le saphir. La couche d'orientation contient une solution solide contenant deux ou plusieurs composés choisis dans le groupe constitué par α-Al2O3, α-Cr2O3, α-Fe2O3, α-Ti2O3, α-V2O3 et α-Rh2O3.
(JA)
13族元素の窒化物又は酸化物の結晶成長のために用いられる配向層を備え、当該配向層における結晶欠陥(転位)が顕著に低減された、高品質の下地基板が提供される。この下地基板は、13族元素の窒化物又は酸化物の結晶成長のために用いられる配向層を備えている。配向層の結晶成長に用いられる側の表面は、サファイアよりも大きいa軸長及び/又はc軸長を有するコランダム型結晶構造を有する材料で構成されている。配向層は、α-Al、α-Cr、α-Fe、α-Ti、α-V、及びα-Rhからなる群から選択される2種以上を含む固溶体を含む。
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