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1. WO2020166938 - CIRCUIT ÉLECTRONIQUE ET AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE LE COMPORTANT

Numéro de publication WO/2020/166938
Date de publication 20.08.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2020/001903
Date du dépôt international 11.02.2020
CIB
H03K 17/687 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H03K 17/693 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687les dispositifs étant des transistors à effet de champ
693Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d'entrée et de sortie, p.ex. multiplexeurs, distributeurs
H03F 1/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
1Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
02Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p.ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 1/56 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
1Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
56Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H03F 3/21 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
21comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
CPC
H03F 1/02
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
H03F 1/56
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
H03F 3/21
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
21with semiconductor devices only
H03K 17/687
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
687the devices being field-effect transistors
H03K 17/693
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
687the devices being field-effect transistors
693Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
Déposants
  • 삼성전자 주식회사 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR]/[KR]
  • 한국과학기술원 KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 여성구 YEO, Sungku
  • 왕승훈 WANG, Seunghun
  • 홍성철 HONG, Songcheol
  • 박재석 PARK, Jaeseok
  • 박진석 PARK, Jinseok
  • 이종민 LEE, Chongmin
Mandataires
  • 이건주 LEE, Keon-Joo
  • 김정훈 KIM, Jeoung-Hoon
Données relatives à la priorité
10-2019-001570111.02.2019KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) ELECTRONIC CIRCUIT AND POWER AMPLIFIER COMPRISING SAME
(FR) CIRCUIT ÉLECTRONIQUE ET AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE LE COMPORTANT
(KO) 전자 회로 및 이를 포함하는 전력 증폭기
Abrégé
(EN)
An electronic circuit according to various embodiments may comprise a switch circuit, wherein the switch circuit may comprise: a first switch connected to a first port and a second switch connected to a second port, which are connected in series with each other; a first parallel switch connected to a node between the first switch and the second switch; and a first shunt inductor connected to the node to cancel a parasitic capacitance component of the first parallel switch.
(FR)
Selon divers modes de réalisation de la présente invention, un circuit électronique peut comporter un circuit de commutation, le circuit de commutation pouvant comprendre : un premier commutateur connecté à un premier port et un second commutateur connecté à un second port, qui sont connectés en série les uns aux autres ; un premier commutateur parallèle connecté à un nœud entre le premier commutateur et le second commutateur ; un premier inducteur de dérivation connecté au nœud pour annuler une composante de capacité parasite du premier commutateur parallèle.
(KO)
다양한 실시 예에 따른 전자 회로는 스위치 회로를 포함할 수 있고, 상기 스위치 회로는, 서로 직렬로 연결된, 제1포트에 연결된 제1스위치 및 제2포트에 연결된 제2스위치, 상기 제1스위치 및 상기 제2스위치가 사이의 노드에 연결된 제1병렬 스위치, 및 상기 제1병렬 스위치의 기생 커패시턴스(parasitic capacitance) 성분을 상쇄하도록 상기 노드에 연결된 제1션트 인덕터를 포함할 수 있다.
Également publié en tant que
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