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1. WO2020163427 - COMPOSANTS DE CHAMBRE DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS EN SILICIUM TEXTURÉ

Numéro de publication WO/2020/163427
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/US2020/016710
Date du dépôt international 05.02.2020
CIB
H01J 37/32 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/3065 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
CPC
H01J 37/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
Déposants
  • LAM RESEARCH CORPORATION [US]/[US]
  • SILFEX, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • XU, Lin
  • SRINIVASAN, Satish
  • KOSHY, Robin
  • YASSERI, Amir A.
  • TANG, Justin
  • ZHANG, Jie
  • WETZEL, David Joseph
Mandataires
  • CHEN, Tina
Données relatives à la priorité
62/801,80406.02.2019US
62/835,90718.04.2019US
62/886,10013.08.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) TEXTURED SILICON SEMICONDUCTOR PROCESSING CHAMBER COMPONENTS
(FR) COMPOSANTS DE CHAMBRE DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS EN SILICIUM TEXTURÉ
Abrégé
(EN)
Textured silicon components of a semiconductor processing chamber having hillock-shaped or pyramid-shaped structures on its surface, and a method of texturing such silicon components. The silicon component can be selectively textured using chemical means to form the hillock-shaped structures to increase the surface area of the silicon component to improve polymer adhesion.
(FR)
L'invention porte sur des composants de silicium texturé d'une chambre de traitement de semi-conducteurs présentant des structures en forme de colline ou de pyramide sur sa surface, et une méthode de texturation de ces composants de silicium. Le composant de silicium peut être texturé de manière sélective en utilisant des moyens chimiques pour former les structures en forme de collines afin d'augmenter la surface du composant en silicium dans le but d'améliorer l'adhérence du polymère.
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