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1. WO2020162196 - DISPOSITIF D'IMAGERIE ET SYSTÈME D'IMAGERIE

Numéro de publication WO/2020/162196
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/002238
Date du dépôt international 23.01.2020
CIB
H01L 27/146 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H04N 5/369 2011.1
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 横川 創造 YOKOGAWA, Sozo
  • 萩原 浩樹 HAGIWARA, Hiroki
Mandataires
  • 特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
Données relatives à la priorité
2019-01962906.02.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) IMAGING DEVICE AND IMAGING SYSTEM
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE ET SYSTÈME D'IMAGERIE
(JA) 撮像装置および撮像システム
Abrégé
(EN)
This imaging device is provided with: a semiconductor substrate which has a first surface and a second surface opposite to each other and to which a plurality of pixels are provided; a wiring layer which is provided to the second surface side of the semiconductor substrate and to which a signal to each of the pixels is transmitted; a light shielding film which is disposed opposite to the wiring layer with the semiconductor substrate therebetween and which has openings satisfying expression (1); and waveguides that are provided to the first surface side of the semiconductor substrate for the pixels and are directed to the respective openings of the light shielding film. Expression (1): B(FR)
L'invention concerne un dispositif d'imagerie comportant : un substrat semi-conducteur qui présente une première surface et une seconde surface l'une en regard avec l'autre et dotées d'une pluralité de pixels ; une couche de câblage qui est disposée du côté seconde surface du substrat semi-conducteur et à laquelle un signal à chacun des pixels est transmis ; un film de protection contre la lumière qui est disposé face à la couche de câblage avec le substrat semi-conducteur entre ceux-ci et qui présente des ouvertures satisfaisant l'expression (1) ; et des guides d'ondes qui sont disposés du côté première surface du substrat semi-conducteur pour les pixels et sont dirigés vers les ouvertures respectives du film de protection contre la lumière. Expression (1) : B<A, où B désigne la zone des ouvertures pour les pixels, et A désigne la zone de la première surface pour les pixels recouverts du film de protection contre la lumière.
(JA)
対向する第1面および第2面を有するとともに、複数の画素が設けられた半導体基板と、前記半導体基板の第2面側に設けられ、前記複数の画素毎に信号が送られる配線層と、前記半導体基板を間にして前記配線層に対向し、かつ、前記画素毎に以下の式(1)を満たす開口を有する遮光膜と、前記複数の画素毎に前記半導体基板の前記第1面側に設けられた、前記遮光膜の前記開口に向かう導波路とを備えた撮像装置。 B<A ・・・・・(1) ただし、Bは各画素における前記開口の面積であり、Aは各画素において前記遮光膜に覆われた前記第1面の面積である。
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