Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020162175 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM

Numéro de publication WO/2020/162175
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/002095
Date du dépôt international 22.01.2020
CIB
H01L 29/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/12 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
CPC
H01L 29/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
H01L 29/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
H01L 29/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
Déposants
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 増田 健良 MASUDA, Takeyoshi
  • 斎藤 雄 SAITOH, Yu
Mandataires
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
Données relatives à la priorité
2019-01774504.02.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置
Abrégé
(EN)
A silicon carbide substrate of the present invention has a first impurity region, a second impurity region, a third impurity region, a fourth impurity region, and a fifth impurity region. In a direction going through the first impurity region and the third impurity region from a first principal surface towards a second principal surface, the concentration profile of a p-type impurity has a first maximum value, and a third maximum value located more on the first principal surface side than a position exhibiting the first maximum value. In a direction going through the second impurity region and the fourth impurity region from the first principal surface towards the second principal surface, the concentration profile of an n-type impurity has a second maximum value, and a fourth maximum value located more on the first principal surface side than a position exhibiting the second maximum value. The fourth maximum value is greater than the third maximum value, the third maximum value is greater than the second maximum value, and the second maximum value is greater than the first maximum value.
(FR)
La présente invention concerne un substrat en carbure de silicium comprenant une première région d'impureté, une deuxième région d'impureté, une troisième région d'impureté, une quatrième région d'impureté, et une cinquième région d'impureté. Dans une direction passant à travers la première région d'impureté et la troisième région d'impureté d'une première surface principale vers une seconde surface principale, le profil de concentration d'une impureté de type p a une première valeur maximale, et une troisième valeur maximale située plus sur le côté de la première surface principale qu'une position présentant la première valeur maximale. Dans une direction passant à travers la seconde région d'impureté et la quatrième région d'impureté de la première surface principale vers la seconde surface principale, le profil de concentration d'une impureté de type n a une seconde valeur maximale, et une quatrième valeur maximale située plus sur le côté de la première surface principale qu'une position présentant la seconde valeur maximale. La quatrième valeur maximale est supérieure à la troisième valeur maximale, la troisième valeur maximale est supérieure à la deuxième valeur maximale, et la deuxième valeur maximale est supérieure à la première valeur maximale.
(JA)
炭化珪素基板は、第1不純物領域と、第2不純物領域と、第3不純物領域と、第4不純物領域と、第5不純物領域とを有している。第1不純物領域および第3不純物領域の各々を通り、かつ第1主面から第2主面に向かう方向において、p型不純物の濃度プロファイルは、第1極大値と、第1極大値を示す位置よりも第1主面側に位置する第3極大値とを有している。第2不純物領域および第4不純物領域の各々を通り、かつ第1主面から第2主面に向かう方向において、n型不純物の濃度プロファイルは、第2極大値と、第2極大値を示す位置よりも第1主面側に位置する第4極大値とを有している。第4極大値は第3極大値よりも大きく、第3極大値は第2極大値よりも大きく、かつ第2極大値は第1極大値よりも大きい。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international