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1. WO2020162093 - PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE

Numéro de publication WO/2020/162093
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/000389
Date du dépôt international 09.01.2020
CIB
H01L 51/40 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
40Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
B05D 1/26 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
DPROCÉDÉS POUR APPLIQUER DES LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
1Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces
26par application de liquides ou d'autres matériaux fluides, à partir d'un orifice en contact ou presque en contact avec la surface
B05D 1/34 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
DPROCÉDÉS POUR APPLIQUER DES LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
1Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces
34Application simultanée de liquides ou d'autres matériaux fluides, différents
B05D 5/12 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
DPROCÉDÉS POUR APPLIQUER DES LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
5Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces pour obtenir des effets, finis ou des structures de surface particuliers
12pour obtenir un revêtement ayant des propriétés électriques spécifiques
B05D 7/24 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
05PULVÉRISATION OU ATOMISATION EN GÉNÉRAL; APPLICATION DE LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
DPROCÉDÉS POUR APPLIQUER DES LIQUIDES OU D'AUTRES MATÉRIAUX FLUIDES AUX SURFACES, EN GÉNÉRAL
7Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers
24pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers
H01L 51/05 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
CPC
B05D 1/26
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
1Processes for applying liquids or other fluent materials
26performed by applying the liquid or other fluent material from an outlet device in contact with, or almost in contact with, the surface
B05D 1/34
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
1Processes for applying liquids or other fluent materials
34Applying different liquids or other fluent materials simultaneously
B05D 5/12
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
5Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
12to obtain a coating with specific electrical properties
B05D 7/24
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
7Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
24for applying particular liquids or other fluent materials
H01L 51/05
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
Déposants
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 岩瀬 英二郎 IWASE Eijiro
  • 須山 昭彦 SUYAMA Akihiko
Mandataires
  • 伊東 秀明 ITOH Hideaki
  • 三橋 史生 MITSUHASHI Fumio
Données relatives à la priorité
2019-02181808.02.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PRODUCTION METHOD FOR ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 有機半導体薄膜の製造方法
Abrégé
(EN)
Provided is a production method for an organic semiconductor thin film, whereby an organic semiconductor thin film having a high level of uniformity over a large area can be continuously formed and whereby a variety of shapes can be readily accommodated. The production method has: a preparation step in which a first coating liquid having an organic semiconductor dissolved in a first organic solvent and a second coating liquid including a second organic solvent having a lower affinity to the organic semiconductor than the first organic solvent are prepared; a coating step in which the first coating liquid and the second coating liquid are coated on a substrate, overlapping in a direction orthogonal to the surface of the substrate and having the second coating liquid on the substrate side; and a drying step in which the film is dried after the organic semiconductor is precipitated from the film of the first coating liquid and the second coating liquid that were coated on the substrate in the coating step. In the coating step, the second coating liquid and the first coating liquid are in contact for a period from when the second coating liquid is discharged until same is coated on the substrate.
(FR)
L'invention fournit un procédé de fabrication de film mince semi-conducteur organique qui permet de former en continu un film mince semi-conducteur organique d'une grande uniformité sur une grande surface, et qui en outre peut aisément s'ajuster à diverses formes. Le procédé de l'invention présente : une étape de préparation au cours de laquelle sont préparés un premier liquide d'application tel qu'un semi-conducteur organique est dissous dans un premier solvant organique, et un second liquide d'application qui contient un second solvant organique de compatibilité vis-à-vis du semi-conducteur organique inférieure à celle du premier solvant organique ; une étape d'application au cours de laquelle le premier et le second liquide d'application sont appliqués sur un substrat en superposition dans une direction perpendiculaire à la surface de ce substrat, le second liquide d'application se trouvant côté substrat ; et une étape de séchage au cours de laquelle le semi-conducteur organique est précipité depuis un film d'application entre le premier et le second liquide d'application obtenu par application sur le substrat lors de l'étape d'application, puis, le film d'application est séché. Lors de l'étape d'application, le second liquide d'application et le premier liquide d'application viennent en contact, dans une durée allant de la décharge du second liquide d'application jusqu'à son application sur le substrat.
(JA)
大面積で均一性の高い有機半導体薄膜を連続的に形成することができ、また、種々の形状に容易に対応可能な有機半導体薄膜の製造方法を提供する。第一有機溶媒に有機半導体が溶解されている第一の塗布液、および、有機半導体に対する親和性が第一有機溶媒よりも低い第二有機溶媒を含む第二の塗布液を準備する準備工程と、第一の塗布液と第二の塗布液とを基板上に、第二の塗布液を基板側として基板の表面に垂直な方向に重ねて塗布する塗布工程と、塗布工程で基板上に塗布した、第一の塗布液と第二の塗布液との塗膜から有機半導体が析出した後に、塗膜を乾燥させる乾燥工程とを有し、塗布工程において、第二の塗布液の吐出から基板上に塗布されるまでの間に、第二の塗布液と第一の塗布液とが接している。
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