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1. WO2020162012 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET MODULE À SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/162012
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/047279
Date du dépôt international 03.12.2019
CIB
H01L 29/78 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/12 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H01L 29/739 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70Dispositifs bipolaires
72Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
739commandés par effet de champ
CPC
H01L 21/26506
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
26Bombardment with radiation
263with high-energy radiation
265producing ion implantation
26506in group IV semiconductors
H01L 23/473
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
46involving the transfer of heat by flowing fluids
473by flowing liquids
H01L 27/0727
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
07the components having an active region in common
0705comprising components of the field effect type
0727in combination with diodes, or capacitors or resistors
H01L 29/0607
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0603characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
0607for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
H01L 29/0615
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0603characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
0607for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
0611for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
0615by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
H01L 29/0696
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
0684characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
0692Surface layout
0696of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
Déposants
  • 富士電機株式会社 FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 庄司 敦 SHOJI, Atsushi
  • 吉田 崇一 YOSHIDA Soichi
Mandataires
  • 龍華国際特許業務法人 RYUKA IP LAW FIRM
Données relatives à la priorité
2019-02098207.02.2019JP
2019-11296218.06.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET MODULE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体モジュール
Abrégé
(EN)
The manufacturing cost of a semiconductor device is reduced. Provided is the semiconductor device comprising: a semiconductor substrate; an active part that is provided on the semiconductor substrate; a first well region and a second well region that are provided on the semiconductor substrate and are arranged with the active part interposed therebetween in a top view; an emitter electrode that is located above the active part; and a pad that is disposed above the first well region and is separated from the emitter electrode, wherein the emitter electrode is disposed above the second well region. The semiconductor device further comprises a peripheral well region that is disposed to surround the active part in a top view, wherein the first well region and the second well region may protrude more toward the center of the active part than the peripheral well region.
(FR)
Le coût de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur est réduit. Le dispositif à semi-conducteur selon l'invention comprend : un substrat semi-conducteur ; une partie active qui est disposée sur le substrat semi-conducteur ; une première région de puits et une seconde région de puits qui sont disposées sur le substrat semi-conducteur et sont agencées avec la partie active interposée entre celles-ci dans une vue de dessus ; une électrode d'émetteur qui est située au-dessus de la partie active ; et un tampon qui est disposé au-dessus de la première région de puits et est séparé de l'électrode d'émetteur, l'électrode d'émetteur étant disposée au-dessus de la seconde région de puits. Le dispositif à semi-conducteur comprend en outre une région de puits périphérique qui est disposée de façon à entourer la partie active dans une vue de dessus, la première région de puits et la seconde région de puits pouvant faire saillie plus vers le centre de la partie active que la région de puits périphérique.
(JA)
半導体装置の製造コストを低減する。 半導体基板と、半導体基板に設けられた活性部と、半導体基板に設けられ、上面視において活性部を挟んで配置された第1ウェル領域および第2ウェル領域と、活性部の上方に配置されたエミッタ電極と、第1ウェル領域の上方に配置され、エミッタ電極とは分離しているパッドとを備え、第2ウェル領域の上方には、エミッタ電極が配置されている半導体装置を提供する。上面視において活性部を囲んで配置された周辺ウェル領域を更に備え、第1ウェル領域および第2ウェル領域は、周辺ウェル領域よりも、活性部の中央側に突出していてよい。
Également publié en tant que
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