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1. WO2020161958 - ÉLÉMENT CONDENSATEUR

Numéro de publication WO/2020/161958
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/037211
Date du dépôt international 24.09.2019
CIB
H01G 4/40 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
GCONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
40Combinaisons structurales de condensateurs fixes avec d'autres éléments électriques non couverts par la présente sous-classe, la structure étant principalement constituée par un condensateur, p.ex. combinaisons RC
H01C 13/00 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
CRÉSISTANCES
13Résistances non prévues ailleurs
H01L 21/822 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
H01L 27/04 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
CPC
H01C 13/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CRESISTORS
13Resistors not provided for elsewhere
H01G 4/40
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
4Fixed capacitors; Processes of their manufacture
40Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
Déposants
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 村瀬 康裕 MURASE, Yasuhiro
Mandataires
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
Données relatives à la priorité
2019-02172808.02.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CAPACITOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT CONDENSATEUR
(JA) キャパシタ素子
Abrégé
(EN)
A capacitor (100) is provided with: a substrate (10) that has a first principal surface (10a) and a second principal surface (10b) located on the opposite side from the first principal surface (10a) and that works as electrical resistance; a first electrode layer (20) provided on the first principal surface (10a) side; a second electrode layer (30) provided on the second principal surface (10b) side; a dielectric layer (40) provided between the first electrode layer (20) and the substrate (10); and a resistor (60) electrically connected to the first electrode layer (20) or the second electrode layer (30). The resistor has a temperature characteristic opposite to that of the substrate (10).
(FR)
La présente invention concerne un condensateur (100) pourvu : d'un substrat (10) qui a une première surface principale (10a) et une seconde surface principale (10b) située sur le côté opposé à la première surface principale (10a) et qui fonctionne comme résistance électrique ; une première couche d'électrode (20) disposée sur la première surface principale (10a) ; une seconde couche d'électrode (30) disposée sur le côté de la seconde surface principale (10b) ; une couche diélectrique (40) disposée entre la première couche d'électrode (20) et le substrat (10) ; et une résistance (60) connectée électriquement à la première couche d'électrode (20) ou à la seconde couche d'électrode (30). La résistance présente une caractéristique de température opposée à celle du substrat (10).
(JA)
キャパシタ(100)は、第1主面(10a)および第1主面(10a)とは反対側に位置する第2主面(10b)を有し、電気抵抗となる基板(10)と、第1主面(10a)側に設けられた第1電極層(20)と、第2主面(10b)側に設けられた第2電極層(30)と、第1電極層(20)と基板(10)との間に設けられた誘電体層(40)と、第1電極層(20)または第2電極層(30)に電気的に接続される抵抗体(60)と、を備え、抵抗体は、基板(10)が有する温度特性とは反対の温度特性を有する。
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