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1. WO2020161953 - DISPOSITIF DE CAPTEUR DE CHAMP PHOTOMAGNÉTIQUE DE TYPE À INTERFÉRENCE

Numéro de publication WO/2020/161953
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/034023
Date du dépôt international 29.08.2019
CIB
G01R 33/032 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
032en utilisant des dispositifs magnéto-optiques, p.ex. par effet Faraday
CPC
G01R 33/032
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
032using magneto-optic devices, e.g. Faraday ; , Cotton-Mouton effect
Déposants
  • シチズンファインデバイス株式会社 CITIZEN FINEDEVICE CO., LTD. [JP]/[JP]
  • シチズン時計株式会社 CITIZEN WATCH CO., LTD. [JP]/[JP]
  • 国立大学法人信州大学 SHINSHU UNIVERSITY [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 宮本 光教 MIYAMOTO, Mitsunori
  • 久保 利哉 KUBO, Toshiya
  • 佐藤 敏郎 SATO, Toshiroh
  • 藤城 佑太 FUJISHIRO, Yuta
  • 曽根原 誠 SONEHARA, Makoto
Mandataires
  • 青木 篤 AOKI, Atsushi
  • 三橋 真二 MITSUHASHI, Shinji
  • 南山 知広 MINAMIYAMA, Chihiro
  • 三浦 剛 MIURA, Tsuyoshi
  • 遠藤 力 ENDO, Tsutomu
Données relatives à la priorité
2019-01913405.02.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) INTERFERENCE TYPE PHOTOMAGNETIC FIELD SENSOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CAPTEUR DE CHAMP PHOTOMAGNÉTIQUE DE TYPE À INTERFÉRENCE
(JA) 干渉型光磁界センサ装置
Abrégé
(EN)
An interference type photomagnetic sensor device 1 includes: a light emitting unit 10 for emitting linearly polarized light; a magnetic field sensor element 50 on which the linearly polarized light is incident as incident light, and which emits return light corresponding to the incident light, at least a portion of the magnetic field sensor element being able to be disposed within a prescribed magnetic field; a first optical element 30 that rotates the polarization plane of the linearly polarized light by 45 degrees, and emits a first linearly polarized wave and a second linearly polarized wave that is orthogonal to the first linearly polarized wave; an optical path unit 40 that is connected to the first optical element and to the first magnetic field sensor element, and that has a first optical path where the first linearly polarized wave is propagated, and a second optical path where the second linearly polarized wave is propagated; and a detection signal generation unit 60 on which the return light having the polarization plane thereof rotated by 45 degrees in the first optical element is incident, and which separates the return light into an S-polarized component and a P-polarized component, receives the S-polarized component and the P-polarized component, converts the components into an electrical signal, and performs differential amplification to output a detection signal in accordance with the magnetic field applied to the magnetic field sensor element.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de capteur photomagnétique de type à interférence 1 comprenant : une unité d'émission de lumière 10 servant à émettre une lumière à polarisation linéaire; un élément de capteur de champ magnétique 50 sur lequel la lumière à polarisation linéaire est incidente en tant que lumière incidente, et qui émet une lumière de retour correspondant à la lumière incidente, au moins une partie de l'élément de capteur de champ magnétique pouvant être disposée à l'intérieur d'un champ magnétique prescrit; un premier élément optique 30 qui fait tourner le plan de polarisation de la lumière polarisée linéairement de 45 degrés, et qui émet une première onde polarisée linéairement et une seconde onde polarisée linéairement qui est orthogonale à la première onde polarisée linéairement; une unité de trajet optique 40 qui est connectée au premier élément optique et au premier élément de capteur de champ magnétique, et qui présente un premier trajet optique où la première onde polarisée linéairement est propagée, et un second trajet optique où la seconde onde polarisée linéairement est propagée; et une unité de génération de signal de détection 60 sur laquelle la lumière de retour dont le plan de polarisation a été tourné de 45 degrés dans le premier élément optique est incidente, et qui sépare la lumière de retour en une composante polarisée S et une composante polarisée P, reçoit la composante polarisée S et la composante polarisée P, convertit les composants en un signal électrique, et effectue une amplification différentielle pour délivrer en sortie un signal de détection en fonction du champ magnétique appliqué à l'élément de capteur de champ magnétique.
(JA)
干渉型光磁界センサ装置1は、直線偏波光を出射する発光部10と、直線偏波光が入射光として入射され、該入射光に応じた戻り光を出射し、且つ、少なくともその一部が所定の磁界内に配置可能な磁界センサ素子50と、直線偏波光の偏光面を45度回転させて、第1直線偏波と第1直線偏波に直交する第2直線偏波を出射する第1光学素子30と、第1光学素子及び磁界センサ素子に接続され、第1直線偏波が伝搬する第1光路、及び第2直線偏波が伝搬する第2光路を有する光路部40と、第1光学素子において偏光面が45度回転された戻り光が入射され、戻り光をS偏光成分及びP偏光成分に分離し、S偏光成分及びP偏光成分を受光して電気信号に変換して差動増幅することで、磁界センサ素子に印加される磁界に応じた検出信号を出力する検出信号発生部60とを有する。
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