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1. WO2020161435 - COMPOSÉ THERMOÉLECTRIQUE À BASE D'ANTIMONIURE DE MAGNÉSIUM DOPÉ DE TYPE N

Numéro de publication WO/2020/161435
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/FR2020/050187
Date du dépôt international 04.02.2020
CIB
H01L 35/18 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
35Dispositifs thermoélectriques comportant une jonction de matériaux différents, c. à d. présentant l'effet Seebeck ou l'effet Peltier, avec ou sans autres effets thermoélectriques ou thermomagnétiques; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
12Emploi d'un matériau spécifié pour les bras de la jonction
14utilisant des compositions inorganiques
18comprenant de l'arsenic, de l'antimoine, ou du bismuth
CPC
H01L 35/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
35Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. exhibiting Seebeck or Peltier effect with or without other thermoelectric effects or thermomagnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
12Selection of the material for the legs of the junction
14using inorganic compositions
18comprising arsenic or antimony or bismuth
Déposants
  • IMRA EUROPE SAS [FR]/[FR]
Inventeurs
  • PERE, Daniel
  • DELATOUCHE, Bruno
  • CHMIELOWSKI, Radoslaw
Mandataires
  • CABINET WEINSTEIN
Données relatives à la priorité
19 0106704.02.2019FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) THERMOELECTRIC COMPOUND BASED ON N-DOPED MAGNESIUM ANTIMONIDE
(FR) COMPOSÉ THERMOÉLECTRIQUE À BASE D'ANTIMONIURE DE MAGNÉSIUM DOPÉ DE TYPE N
Abrégé
(EN)
The invention mainly concerns a thermoelectric compound based on n-doped magnesium antimonide Mg3Sb2, the dopant being chosen among lanthanum, yttrium, cerium, praseodymium, neodymium, gadolinium, erbium, terbium, thulium and lutetium, being a mixture of these elements or being mischmetal, and said compound being devoid of bismuth. The invention also concerns such a thermoelectric compound for which the dopant is mischmetal.
(FR)
L'invention concerne principalement un composé thermoélectrique à base d'antimoniure de magnésium Mg3Sb2 dopé de type n, le dopant étant choisi parmi le lanthane, l'yttrium, le cérium, le praséodyme, le néodyme, le gadolinium, l'erbium, le terbium, le thulium et le lutécium, étant un mélange de ces éléments, ou étant du mischmétal, et ledit composé étant dépourvu de bismuth. L'invention concerne également un tel composé thermoélectrique pour lequel le dopant est du mischmétal.
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