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1. WO2020161283 - DISPOSITIF ACOUSTIQUE À FAIBLE PERTE

Numéro de publication WO/2020/161283
Date de publication 13.08.2020
N° de la demande internationale PCT/EP2020/053091
Date du dépôt international 07.02.2020
CIB
H03H 9/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02Détails
H03H 9/17 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
15Détails de réalisation de résonateurs se composant de matériau piézo-électrique ou électrostrictif
17ayant un résonateur unique
CPC
H03H 3/02
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
02for the manufacture of piezo-electric or electrostrictive resonators or networks
H03H 9/02086
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02086Means for compensation or elimination of undesirable effects
H03H 9/02118
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02007of bulk acoustic wave devices
02086Means for compensation or elimination of undesirable effects
02118of lateral leakage between adjacent resonators
H03H 9/02228
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02228Guided bulk acoustic wave devices or Lamb wave devices having interdigital transducers situated in parallel planes on either side of a piezoelectric layer
H03H 9/02818
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02535of surface acoustic wave devices
02818Means for compensation or elimination of undesirable effects
H03H 9/13
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
125Driving means, e.g. electrodes, coils
13for networks consisting of piezo-electric or electrostrictive materials
Déposants
  • VTT TECHNICAL RESEARCH CENTRE OF FINLAND LTD [FI]/[FI]
Inventeurs
  • PENSALA, Tuomas
  • MAKKONEN, Tapani
Mandataires
  • CONROY, John F.
Données relatives à la priorité
16/271,39808.02.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) LOW LOSS ACOUSTIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF ACOUSTIQUE À FAIBLE PERTE
Abrégé
(EN)
Acoustic wave devices are disclosed. The devices include a substrate (614), a bi-layer reflector (608) and an acoustic wave resonator (600). The bi-layer reflector is above the substrate and includes a first layer (610) that has a first acoustic impedance, and a second layer (612) that has a second acoustic impedance lower than the first acoustic impedance. The first layer has a first surface that includes a floating region (618) that provides a ceiling of a cavity (616). The second layer is on top of the floating region of the first layer. The acoustic wave resonator is on top of the second layer of the bi-layer reflector. The acoustic wave resonator includes a piezoelectric layer (604), an electrode (602) and a counter-electrode (606) such that application of a radio frequency voltage between the electrode and the counter- electrode creates acoustic resonance waves in the piezoelectric layer.
(FR)
L'invention concerne des dispositifs à ondes acoustiques. Les dispositifs comprennent un substrat (614), un réflecteur bi-couche (608) et un résonateur à ondes acoustiques (600). Le réflecteur bi-électrique est au-dessus du substrat et comprend une première couche (610) qui a une première impédance acoustique, et une seconde couche (612) qui a une seconde impédance acoustique inférieure à la première impédance acoustique. La première couche a une première surface qui comprend une région flottante (618) qui engendre un plafond d'une cavité (616). La seconde couche est au-dessus de la région flottante de la première couche. Le résonateur à ondes acoustiques se trouve au-dessus de la seconde couche du réflecteur bi-couche. Le résonateur à ondes acoustiques comprend une couche piézoélectrique (604), une électrode (602) et une contre-électrode (606) de telle sorte que l'application d'une tension de radiofréquence entre l'électrode et la contre-électrode crée des ondes de résonance acoustique dans la couche piézoélectrique.
Également publié en tant que
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