Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020159854 - GRAVURE CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PHOTO-ASSISTÉE POUR RETRAIT SÉLECTIF DE RUTHÉNIUM

Numéro de publication WO/2020/159854
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/US2020/015174
Date du dépôt international 27.01.2020
CIB
H01L 21/3213 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321Post-traitement
3213Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
H01L 21/67 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
C23F 4/02 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
FENLÈVEMENT NON MÉCANIQUE DE MATÉRIAU MÉTALLIQUE DES SURFACES; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; MOYENS POUR EMPÊCHER L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL; PROCÉDÉS À ÉTAPES MULTIPLES POUR LE TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES UTILISANT AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT PAR LA CLASSE C23 ET AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C21D, SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C22F, SOIT PAR LA CLASSE C25308
4Procédés pour enlever des matériaux métalliques des surfaces, non couverts par le groupe C23F1/ ou C23F3/149
02par évaporation
CPC
H01L 21/32135
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
32133by chemical means only
32135by vapour etching only
Déposants
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
  • TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US]/[US] (JP)
Inventeurs
  • ZANDI, Omid
  • FAGUET, Jacques
Mandataires
  • MATHER, Joshua D.
Données relatives à la priorité
62/797,61028.01.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PHOTO-ASSISTED CHEMICAL VAPOR ETCH FOR SELECTIVE REMOVAL OF RUTHENIUM
(FR) GRAVURE CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PHOTO-ASSISTÉE POUR RETRAIT SÉLECTIF DE RUTHÉNIUM
Abrégé
(EN)
Methods and systems herein enable selective removal of ruthenium (Ru) metal at high throughput, and without potentially damaging effects of plasma. Techniques include a photo-assisted chemical vapor etch (PCVE) method to selectively remove Ru metal as a volatile species. A substrate with ruthenium surfaces is positioned within a processing chamber. A photo-oxidizer is received in vapor form in the processing chamber. The photo-oxidizer is a species that generates reactive oxygen species in response to actinic radiation. Reactive oxygen species are then generated by irradiation of the photo-oxidizer, such as with ultraviolet radiation. The reactive oxygen species react with ruthenium surfaces causing the ruthenium surfaces to become oxidized. Oxidized ruthenium is then removed from the substrate, such as be vaporization.
(FR)
Les procédés et les systèmes de l'invention permettent un retrait sélectif du métal de ruthénium (Ru) à un débit élevé, et sans les effets potentiellement dégradants du plasma. Les techniques comprennent un procédé de gravure chimique en phase vapeur photo-assistée (PCVE) pour retirer sélectivement un métal de Ru en tant qu'espèce volatile. Un substrat avec des surfaces de ruthénium est positionné à l'intérieur d'une chambre de traitement. Un photo-oxydant est reçu sous forme de vapeur dans la chambre de traitement. Le photo-oxydant est une espèce qui génère des espèces réactives de l'oxygène en réponse à un rayonnement actinique. Des espèces réactives de l'oxygène sont ensuite générées par exposition du photo-oxydant, par exemple à un rayonnement ultraviolet. Les espèces réactives de l'oxygène réagissent avec des surfaces de ruthénium provoquant l'oxydation des surfaces de ruthénium. Le ruthénium oxydé est ensuite retiré du substrat, par exemple par vaporisation.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international