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1. WO2020159270 - DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2020/159270
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/KR2020/001450
Date du dépôt international 31.01.2020
CIB
H01L 33/62 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/36 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
H01L 33/54 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
52Encapsulations
54ayant une forme particulière
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 27/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
CPC
H01L 27/15
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
H01L 33/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
H01L 33/36
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
H01L 33/54
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
52Encapsulations
54having a particular shape
H01L 33/62
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Déposants
  • 주식회사 세미콘라이트 SEMICON LIGHT CO.,LTD. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 김경민 KIM, Kyoung Min
  • 정겨울 JEONG, Gye Oul
  • 박은현 PARK, Eun Hyun
Mandataires
  • 안상정 AN, Sang Jeong
Données relatives à la priorité
10-2019-001307031.01.2019KR
10-2019-012693114.10.2019KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
Abrégé
(EN)
The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device, comprising: at least one semiconductor light emitting device chip including a plurality of electrodes; a plurality of pads each corresponding to a plurality of electrodes at a predetermined distance from the plurality of electrodes of the at least one semiconductor light emitting device chip on a plane; an electrical connection provided on the same plane as the plurality of pads and electrically connecting the plurality of pads and the plurality of electrodes; and an encapsulant covering the at least one semiconductor light emitting device chip.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs, comprenant : au moins une puce de dispositif électroluminescent à semi-conducteurs comprenant une pluralité d'électrodes; une pluralité de plots correspondant chacun à une pluralité d'électrodes à une distance prédéterminée de la pluralité d'électrodes de la ou des puces de dispositif électroluminescent à semi-conducteurs sur un plan; une connexion électrique disposée sur le même plan que la pluralité de plots et connectant électriquement la pluralité de plots et la pluralité d'électrodes; et un encapsulant recouvrant la ou les puces de dispositif électroluminescent à semi-conducteurs.
(KO)
본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 복수의 전극을 포함하는 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자 칩; 평면상에서 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자 칩의 복수의 전극과 일정거리 떨어져 복수의 전극과 각각 대응되는 복수의 패드; 복수의 패드와 동일평면상에 구비되며, 복수의 패드와 복수의 전극 사이를 각각 전기적으로 연결하는 전기적 연결; 그리고, 적어도 하나 이상의 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지재;를 포함하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
Également publié en tant que
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