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1. WO2020158766 - PROCÉDÉ D'EXPANSION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2020/158766
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/003071
Date du dépôt international 29.01.2020
CIB
C09J 201/00 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
JADHÉSIFS; ASPECTS NON MÉCANIQUES DES PROCÉDÉS DE COLLAGE EN GÉNÉRAL; PROCÉDÉS DE COLLAGE NON PRÉVUS AILLEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX COMME ADHÉSIFS
201Adhésifs à base de composés macromoléculaires non spécifiés
H01L 21/301 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
C09J 7/38 2018.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
JADHÉSIFS; ASPECTS NON MÉCANIQUES DES PROCÉDÉS DE COLLAGE EN GÉNÉRAL; PROCÉDÉS DE COLLAGE NON PRÉVUS AILLEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX COMME ADHÉSIFS
7Adhésifs sous forme de films ou de pellicules
30caractérisés par la composition de l’adhésif
38Adhésifs sensibles à la pression
CPC
C09J 201/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIAL AS ADHESIVES
201Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
C09J 7/38
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIAL AS ADHESIVES
7Adhesives in the form of films or foils
30characterised by the adhesive composition
38Pressure-sensitive adhesives [PSA]
Déposants
  • リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 布施 啓示 FUSE Keishi
  • 稲男 洋一 INAO Youichi
  • 山田 忠知 YAMADA Tadatomo
Mandataires
  • 特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES
Données relatives à la priorité
2019-01581831.01.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) EXPANSION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ D'EXPANSION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) エキスパンド方法及び半導体装置の製造方法
Abrégé
(EN)
An expansion method comprising a step for stretching a first sheet (10) to which a plurality of semiconductor devices (CP) are bonded and widening the interval between the plurality of semiconductor devices (CP), wherein each of the plurality of semiconductor devices (CP) has a first semiconductor device surface (W1) and a second semiconductor device surface (W3) on the reverse side from the first semiconductor device surface (W1), and each of the plurality of semiconductor devices (CP) includes a protective layer (100) between the second semiconductor device surface (W3) and the first sheet (10).
(FR)
L'invention concerne un procédé d'expansion comprenant une étape consistant à étirer une première feuille (10) à laquelle une pluralité de dispositifs semi-conducteurs sont liés et à élargir l'intervalle entre la pluralité de dispositifs semi-conducteurs, chacun de la pluralité de dispositifs semi-conducteurs présentant une première surface de dispositif semi-conducteur (W1) et une seconde surface de dispositif semi-conducteur (W3) sur la face opposée à la première surface de dispositif semi-conducteur (W1), et chacun de la pluralité de dispositifs semi-conducteurs comprenant une couche de protection (100) entre la seconde surface de dispositif semi-conducteur (W3) et la première feuille (10).
(JA)
複数の半導体装置(CP)が貼着された第1シート(10)を伸張させて、複数の半導体装置(CP)の間隔を拡げる工程を含み、複数の半導体装置(CP)のそれぞれは、第1半導体装置面(W1)と第1半導体装置面(W1)の反対側の第2半導体装置面(W3)とを有し、複数の半導体装置(CP)のそれぞれは、第2半導体装置面(W3)と第1シート(10)との間に保護層(100)を含んで、貼着されているエキスパンド方法。
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