Traitement en cours

Veuillez attendre...

PATENTSCOPE sera indisponible durant quelques heures pour des raisons de maintenance le mardi 27.07.2021 à 12:00 PM CEST
Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2020158318 - PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE

Numéro de publication WO/2020/158318
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2020/000281
Date du dépôt international 08.01.2020
CIB
H01L 21/26 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
H01L 21/316 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
316composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
H01L 21/318 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
318composées de nitrures
Déposants
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 青山 敬幸 AOYAMA Takayuki
  • 河原▲崎▼ 光 KAWARAZAKI Hikaru
  • 上田 晃頌 UEDA Akitsugu
Mandataires
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
Données relatives à la priorité
2019-01316429.01.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) HEAT TREATMENT METHOD AND HEAT TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE
(JA) 熱処理方法および熱処理装置
Abrégé
(EN)
In the present invention, a semiconductor wafer on which a high dielectric constant film has been formed is conveyed into a treatment chamber. The semiconductor wafer is subjected to preliminary heating and flash heating in an ammonia atmosphere in the treatment chamber to perform a post-film formation heat treatment on the high dielectric constant film. Thereafter, the ammonia atmosphere in the treatment chamber is replaced with oxygen atmosphere, and an additional heat treatment is performed, where the semiconductor wafer is heated to 300-500°C. Even if a defect occurs in the high dielectric constant film due to oxygen desorption during the post-film formation heat treatment in the ammonia atmosphere, performing the additional heat treatment on the semiconductor wafer in the oxygen atmosphere oxidizes the high dielectric constant film, making it possible to eliminate the oxygen defects in the high dielectric constant film.
(FR)
Selon la présente invention, une plaquette semi-conductrice sur laquelle a été formée une pellicule à haute constante diélectrique est transportée dans une chambre de traitement. La plaquette semi-conductrice est soumise à un chauffage préliminaire et à un chauffage instantané dans une atmosphère d’ammoniac dans la chambre de traitement pour procéder à un traitement thermique post-formation de pellicule sur la pellicule à haute constante diélectrique. Ensuite, l’atmosphère d’ammoniac dans la chambre de traitement est remplacée par une atmosphère d’oxygène, et un traitement thermique additionnel est mis en œuvre, où la plaquette semi-conductrice est chauffée entre 300 et 500 °C. Même si un défaut se produit dans la pellicule à haute constante diélectrique en raison de la désorption d’oxygène durant le traitement thermique post-formation de pellicule dans l’atmosphère d’ammoniac, la mise en œuvre du traitement thermique additionnel sur la plaquette semi-conductrice dans l’atmosphère d’oxygène oxyde la pellicule à haute constante diélectrique, permettant ainsi d’éliminer les défauts d’oxygène dans la pellicule à haute constante diélectrique.
(JA)
高誘電率膜が形成された半導体ウェハーを処理チャンバー内に搬入する。処理チャンバー内をアンモニア雰囲気として半導体ウェハーの予備加熱およびフラッシュ加熱を行って高誘電率膜の成膜後熱処理を実行する。その後、処理チャンバー内をアンモニア雰囲気から酸素雰囲気に置換して半導体ウェハーを300℃以上500℃以下に加熱する追加加熱処理を実行する。アンモニア雰囲気中での成膜後熱処理時に酸素の脱離によって高誘電率膜に欠損が生じたとしても、酸素雰囲気中にて半導体ウェハーの追加加熱処理を実行することにより、高誘電率膜を酸化して高誘電率膜中の酸素の欠損を解消することができる。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international