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1. WO2020158187 - VERRE POUR REVÊTEMENT D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET MATÉRIAU POUR REVÊTEMENT SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT

Numéro de publication WO/2020/158187
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/047810
Date du dépôt international 06.12.2019
CIB
C03C 8/04 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
03VERRE; LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
CCOMPOSITION CHIMIQUE DES VERRES, GLAÇURES OU ÉMAUX VITREUX; TRAITEMENT DE LA SURFACE DU VERRE; TRAITEMENT DE SURFACE DES FIBRES OU FILAMENTS DE VERRE, DE SUBSTANCES MINÉRALES OU DE SCORIES; LIAISON DU VERRE AU VERRE OU À D'AUTRES MATÉRIAUX
8Emaux; Glaçures; Compositions de scellement par fusion constituées de frittes vitreuses contenant des additifs
02Compositions en verre fritté, c. à d. broyées ou sous forme de poudre
04contenant du zinc
C03C 8/14 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
03VERRE; LAINE MINÉRALE OU DE SCORIES
CCOMPOSITION CHIMIQUE DES VERRES, GLAÇURES OU ÉMAUX VITREUX; TRAITEMENT DE LA SURFACE DU VERRE; TRAITEMENT DE SURFACE DES FIBRES OU FILAMENTS DE VERRE, DE SUBSTANCES MINÉRALES OU DE SCORIES; LIAISON DU VERRE AU VERRE OU À D'AUTRES MATÉRIAUX
8Emaux; Glaçures; Compositions de scellement par fusion constituées de frittes vitreuses contenant des additifs
14Mélanges de frittes vitreuses contenant des additifs, p.ex. des agents opacifiants, des colorants, des agents de broyage
H01L 23/29 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29caractérisées par le matériau
H01L 23/31 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31caractérisées par leur disposition
CPC
C03C 8/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
8Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
02Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
C03C 8/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
8Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
02Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
04containing zinc
C03C 8/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
8Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
14Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
H01L 23/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
H01L 23/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
31characterised by the arrangement ; or shape
Déposants
  • 日本電気硝子株式会社 NIPPON ELECTRIC GLASS CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 廣瀬 将行 HIROSE Masayuki
Données relatives à la priorité
2019-01291429.01.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) GLASS FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT COATING AND MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR COATING USING SAME
(FR) VERRE POUR REVÊTEMENT D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET MATÉRIAU POUR REVÊTEMENT SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT
(JA) 半導体素子被覆用ガラス及びこれを用いた半導体被覆用材料
Abrégé
(EN)
Provided is a glass for semiconductor element coating having little environmental impact, excellent acid resistance, and a low firing temperature. A glass for semiconductor element coating characterized by having as the glass composition, in mol%, SiO2+ZnO 40-65%, B2O3 7-25%, Al2O3 8-21%, and MgO 8-22%, SiO2/ZnO of from 0.6 to less than 1.8 by molar ratio, and being substantially lead-free.
(FR)
L'invention concerne un verre pour le revêtement d'un élément semi-conducteur ayant peu d'impact environnemental, une excellente résistance aux acides et une faible température de cuisson. Un verre pour le revêtement d'un élément semi-conducteur est caractérisé en ce qu'il présente comme composition de verre, en % en moles, de 40 à 65 % de SiO2+ZnO,de 7 à 25 % de B2O3, de 8 à 21 % de Al2O3 et de 8 à 22 % de MgO, de 0,6 à moins de 1,8 par rapport molaire de SiO2/ZnO, et il est substantiellement sans plomb.
(JA)
環境負荷が小さく、耐酸性に優れ、且つ焼成温度が低い半導体素子被覆用ガラスを提供する。 ガラス組成として、モル%で、SiO+ZnO 40~65%、B 7~25%、Al 8~21%、MgO 8~22%を含有し、且つモル比で、SiO/ZnOが0.6~1.8未満であり、実質的に鉛成分を含有しないことを特徴とする半導体素子被覆用ガラス。
Également publié en tant que
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