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1. WO2020158164 - ÉLÉMENT D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE

Numéro de publication WO/2020/158164
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046975
Date du dépôt international 02.12.2019
CIB
H01L 27/146 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
G02B 5/30 2006.1
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
5Eléments optiques autres que les lentilles
30Eléments polarisants
H04N 5/369 2011.1
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
CPC
G02B 5/30
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
5Optical elements other than lenses
30Polarising elements
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
Déposants
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 納土 晋一郎 NOUDO Shinichiro
Mandataires
  • 松尾 憲一郎 MATSUO Kenichiro
Données relatives à la priorité
2019-01703001.02.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) IMAGING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT D'IMAGERIE
(JA) 撮像素子および撮像素子の製造方法
Abrégé
(EN)
The present invention simplifies a method for manufacturing an imaging element for acquiring polarization information of a subject. Provided is an imaging element comprising a plurality of pixels, an isolation region, and a polarization portion. Each of the plurality of pixels has a photoelectric conversion portion, formed in a semiconductor substrate, for photoelectrically converting incident light. The isolation region isolates the photoelectric conversion portions of the plurality of pixels. The polarization portion, which is composed of the same material as that of the isolation region, is transmissive to incident light of a specific polarization direction and allows the incident light to enter the corresponding photoelectric conversion portion.
(FR)
La présente invention simplifie un procédé de fabrication d'un élément d'imagerie pour acquérir des informations de polarisation d'un sujet. L'invention concerne un élément d'imagerie comprenant une pluralité de pixels, une région d'isolation et une portion de polarisation. Chaque pixel parmi la pluralité de pixels a une portion de conversion photoélectrique, formée dans un substrat semi-conducteur, pour convertir de manière photoélectrique la lumière incidente. La région d'isolation isole les portions de conversion photoélectrique de la pluralité de pixels. La portion de polarisation, qui est composée du même matériau que celui de la région d'isolation, est transmissive à la lumière incidente d'une direction de polarisation spécifique et permet à la lumière incidente d'entrer dans la portion de conversion photoélectrique correspondante.
(JA)
被写体の偏光情報を取得する撮像素子の製造方法を簡略化する。 撮像素子は複数の画素、分離領域および偏光部を具備する。その複数の画素は、半導体基板に形成されて入射光の光電変換を行う光電変換部がそれぞれ配置される。その分離領域は、その複数の画素の光電変換部をそれぞれ分離する。その偏光部は、その分離領域と同一の材料により構成されて特定の偏光方向の入射光を透過させてその光電変換部に入射させる。
Également publié en tant que
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