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1. WO2020158156 - PROCÉDÉ DE FORMATION D'ÉLÉMENT DE DÉTECTION ET DISPOSITIF DE DÉTECTION

Numéro de publication WO/2020/158156
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/046785
Date du dépôt international 29.11.2019
CIB
G01F 1/692 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
FMESURE DES VOLUMES, DES DÉBITS VOLUMÉTRIQUES, DES DÉBITS MASSIQUES OU DU NIVEAU DES LIQUIDES; COMPTAGE VOLUMÉTRIQUE
1Mesure du débit volumétrique ou du débit massique d'un fluide ou d'un matériau solide fluent, dans laquelle le fluide passe à travers le compteur par un écoulement continu
68en utilisant des effets thermiques
684Dispositions de structure; Montage des éléments, p.ex. relativement à l'écoulement de fluide
688utilisant un élément de chauffage, de refroidissement ou de détection d'un type particulier
69du type à résistance
692Dispositions à couche mince
G01F 1/684 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
FMESURE DES VOLUMES, DES DÉBITS VOLUMÉTRIQUES, DES DÉBITS MASSIQUES OU DU NIVEAU DES LIQUIDES; COMPTAGE VOLUMÉTRIQUE
1Mesure du débit volumétrique ou du débit massique d'un fluide ou d'un matériau solide fluent, dans laquelle le fluide passe à travers le compteur par un écoulement continu
68en utilisant des effets thermiques
684Dispositions de structure; Montage des éléments, p.ex. relativement à l'écoulement de fluide
H01L 21/306 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
CPC
G01F 1/684
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
1Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through the meter in a continuous flow
68by using thermal effects
684Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
G01F 1/692
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
1Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through the meter in a continuous flow
68by using thermal effects
684Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
688using a particular type of heating, cooling or sensing element
69of resistive type
692Thin-film arrangements
H01L 21/306
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Déposants
  • オムロン株式会社 OMRON CORPORATION [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 笠井 隆 KASAI, Takashi
  • 桃谷 幸志 MOMOTANI, Koji
  • 中野 優 NAKANO, Yu
Mandataires
  • 特許業務法人秀和特許事務所 IP FIRM SHUWA
Données relatives à la priorité
2019-01577631.01.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR FORMING DETECTION ELEMENT AND DETECTION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'ÉLÉMENT DE DÉTECTION ET DISPOSITIF DE DÉTECTION
(JA) 検出素子の形成方法及び検出装置
Abrégé
(EN)
The present invention is a method for forming a detection element, the method including: a step for forming, on a surface of a substrate comprising a single crystal semiconductor, a sacrifice layer film which is a thin film comprising a polycrystalline semiconductor; a step for forming, on the sacrifice layer film, an element thin film layer that includes the function of a detection element; a step for partially eroding and removing the element thin film layer to form a hole that penetrates through the element thin film layer and connects the outside of the system with a surface of the sacrifice layer film; a step for supplying an etchant from the hole to isotropically erode and remove the sacrifice layer film; and further, a step for supplying the etchant via the space formed due to removal of the sacrifice layer to erode the substrate so as to form a cavity that opens toward the element thin film layer in the substrate.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de formation d'un élément de détection, le procédé comprenant : une étape consistant à former, sur une surface d'un substrat comprenant un semi-conducteur monocristallin, un film de couche sacrificielle qui est un film mince comprenant un semi-conducteur polycristallin ; une étape consistant à former, sur le film de couche sacrificielle, une couche de film mince d'élément qui comprend la fonction d'un élément de détection ; une étape consistant à partiellement éroder et éliminer la couche de film mince d'élément pour former un trou qui pénètre à travers la couche de film mince d'élément et relie l'extérieur du système à une surface du film de couche sacrificielle ; une étape consistant à fournir un agent de gravure à partir du trou pour éroder et éliminer de manière isotrope le film de couche sacrificielle ; et en outre, une étape consistant à fournir l'agent de gravure par l'intermédiaire de l'espace formé en raison de l'élimination de la couche sacrificielle pour éroder le substrat de façon à former une cavité qui s'ouvre en direction de la couche de film mince d'élément dans le substrat.
(JA)
本発明は、単結晶半導体からなる基板の表面に、多結晶半導体からなる薄膜である犠牲層膜を形成する工程と、犠牲層膜の上に、検出素子としての機能を含む素子薄膜層を形成する工程と、素子薄膜層を部分的に腐食除去することで、該素子薄膜層を貫通し、系外と前記犠牲層膜の表面とを繋ぐ孔を形成する工程と、孔から腐食液を供給することで、前記犠牲層膜を等方的に腐食させて除去する工程と、さらに、前記犠牲層膜が除去された空間を介して腐食液を供給して前記基板を腐食させることで、前記基板に、前記素子薄膜層に対して開口する空洞を形成する工程と、を有する、検出素子の形成方法である。
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