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1. WO2020158041 - STRATIFIÉ ET ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2020/158041
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/JP2019/037057
Date du dépôt international 20.09.2019
CIB
B32B 9/00 2006.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32PRODUITS STRATIFIÉS
BPRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
9Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance particulière non couverte par les groupes B32B11/-B32B29/155
B32B 18/00 2006.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32PRODUITS STRATIFIÉS
BPRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
18Produits stratifiés composés essentiellement de céramiques, p.ex. de produits réfractaires
C01B 32/184 2017.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
32Carbone; Ses composés
15Matières carbonées nanométriques
182Graphène
184Préparation
C01B 32/188 2017.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
32Carbone; Ses composés
15Matières carbonées nanométriques
182Graphène
184Préparation
188par croissance épitaxiale
H01L 29/16 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
16comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
CPC
B32B 18/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
18Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
B32B 9/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
9Layered products comprising a ; layer of a; particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
C01B 32/184
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
15Nano-sized carbon materials
182Graphene
184Preparation
C01B 32/188
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
32Carbon; Compounds thereof
15Nano-sized carbon materials
182Graphene
184Preparation
188by epitaxial growth
H01L 29/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
16including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
Déposants
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 三橋 史典 MITSUHASHI, Fuminori
  • 舘野 泰範 TATENO, Yasunori
  • 足立 真寛 ADACHI, Masahiro
  • 山本 喜之 YAMAMOTO, Yoshiyuki
Mandataires
  • 北野 修平 KITANO, Shuhei
  • 田中 勝也 TANAKA, Katsuya
Données relatives à la priorité
2019-01204428.01.2019JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LAMINATE AND ELECTRONIC ELEMENT
(FR) STRATIFIÉ ET ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE
(JA) 積層体および電子素子
Abrégé
(EN)
This laminate comprises a base part and a graphene film. In an ion mass distribution in the depth direction of the laminate as derived by time-of-flight secondary ion mass spectrometry, the detection intensity of C6 ions has a maximum value at a depth of more than 0 nm and no more than 2.5 nm from an exposed surface. The detection intensity of C3 ions has a maximum value at a depth of more than 0 nm and no more than 3.0 nm from the exposed surface. The detection intensity of SiC4 ions has a maximum value at a depth of 0.5-5.0 nm inclusive from the exposed surface. The detection intensity of SiC ions has a maximum value at a depth of 0.5-10.0 nm inclusive from the exposed surface. The detection intensity of Si2 ions has a maximum value at a depth of 0.5-10.0 nm inclusive from the exposed surface. A value obtained by dividing the maximum value of the detection intensity of SiC4 ions by an average value of the detection intensity of SiC4 ions in a region for which the distance from the exposed surface in the thickness direction of the laminate is 8-12 nm inclusive is 1-3.5 inclusive.
(FR)
La présente invention concerne un stratifié qui comprend une partie de base et un film de graphène. Dans une distribution de masse d'ions dans le sens de la profondeur du stratifié, telle que dérivée par spectrométrie de masse d'ions secondaires à temps de vol, l'intensité de détection des ions C6 a une valeur maximale à une profondeur supérieure à 0 nm et ne dépassant pas 2,5 nm à partir d'une surface exposée. L'intensité de détection des ions C3 a une valeur maximale à une profondeur supérieure à 0 nm et ne dépassant pas 3,0 nm à partir de la surface exposée. L'intensité de détection des ions SiC4 a une valeur maximale à une profondeur de 0,5 à 5,0 nm inclus à partir de la surface exposée. L'intensité de détection des ions SiC a une valeur maximale à une profondeur de 0,5 à 10,0 nm inclus à partir de la surface exposée. L'intensité de détection des ions Si2 a une valeur maximale à une profondeur de 0,5 à 10,0 nm inclus à partir de la surface exposée. Une valeur obtenue en divisant la valeur maximale de l'intensité de détection des ions SiC4 par une valeur moyenne de l'intensité de détection des ions SiC4 dans une région pour laquelle la distance à partir de la surface exposée dans le sens de l'épaisseur du stratifié est de 8-12 nm inclus, est de 1 à 3,5 inclus.
(JA)
積層体は、ベース部と、グラフェン膜と、を備える。飛行時間型二次イオン質量分析により求めた積層体の深さ方向のイオン質量分布において、Cイオンの検出強度は、露出面から0nmを超えて2.5nm以下の深さで最大値を有する。Cイオンの検出強度は、露出面から0nmを超えて3.0nm以下の深さで最大値を有する。SiCイオンの検出強度は、露出面から0.5nm以上5.0nm以下の深さで最大値を有する。SiCイオンの検出強度は、露出面から0.5nm以上10.0nm以下の深さで最大値を有する。Siイオンの検出強度は、露出面から0.5nm以上10.0nm以下の深さで最大値を有する。SiCイオンの検出強度の最大値を、積層体の厚み方向において露出面からの距離が8nm以上12nm以下である領域におけるSiCイオンの検出強度の平均値で除した値は、1以上3.5以下である。
Également publié en tant que
JP2020569360
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